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oHH显卡之家内存行地址选通脉冲预充电时间

电脑杂谈  发布时间:2021-06-12 04:01:16  来源:网络整理

说起内存参数,大家一定要多了解一下容量、频率,甚至电压、粒子来源等。然而,像频率一样决定内存性能的时序(也常被称为延迟),往往被忽略了。 oHH 显卡首页

今天影驰对内存时序做了一个简单的科普,一起来了解一下。 oHH 显卡首页

内存频率是一个数字,而内存时序是一个大系列的数字。有4个最常用的,用破折号隔开,例如16-18-18-38。 oHH 显卡首页

内存时序是什么?对性能影响有多大?终于懂了

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这些数字都表示延迟,也就是内存的响应时间。内存在接收到CPU的指令后,通常需要几个时钟周期来处理,比如访问某块数据,对应的就是时序参数。 oHH 显卡首页

当然,处理时间越短,内存性能越好。 oHH 显卡首页

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内存序列中4个数字对应的参数是CL、tRCD、tRP、tRAS。单位都是时间段,是没有单位的纯数字。 oHH 显卡首页

CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间是oHH显卡home时序中最重要的参数

tRCD (RAS to CAS Delay):从显存行地址到列地址oHH显卡home的延迟时间

tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通预充电时间oHH显卡首页

tRAS(RAS Active Time):行地址被激活的时间oHH显卡首页

看完后更迷茫了?没关系,我给你举个例子。 oHH 显卡首页

我们可以想象数据在内存中的存放位置如下。每个方块存储不同的数据。 CPU需要什么数据,就向内存发送相应的指令,比如想要的位置是。 oHH 显卡首页

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内存收到CPU的指令后,首先要判断数据在哪一行,时序的第二个参数tRCD代表这个时间,表示内存控制器收到指令后需要等待多长时间行的。访问此行。 oHH 显卡首页

由于每一行有多个数据,内存不可能是CPU需要查找的,所以tRCD只是一个估计,这就是为什么这个值的微小变化不会显着改变内存的性能. oHH 显卡首页

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内存确定数据所在的行后,如果要查找数据,就必须确定列。序列的第一个数字是CL(CAS),表示内存在确定行数后,在访问特定列数(时间段)之前需要等待多长时间。 oHH 显卡首页

行和列不可避免地会产生交集,这意味着确定行和列数后,可以准确找到目标数据。因此,CL 是一个准确的值。任何变化都会影响目标数据的位置,因此它是最关键的参数,对内存性能起着举足轻重的作用。 oHH 显卡首页

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内存时序的第三个参数tRP是,如果我们确定了一行,就需要确定另一行的等待时间(时间段)。 oHH 显卡首页

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第四个参数tRAS,可以简单理解为从内存写入或读取数据的时间。它一般接近前三个参数的总和。 oHH 显卡首页

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所以,在保证稳定性的前提下,内存时序越低越好。高频和低频是矛盾的。通常,如果频率上升,则必须牺牲时序。如果你想要一个足够低的时序,频率就很难提高。 oHH 显卡首页

那么,时序对内存性能有多大影响? oHH 显卡首页

我们做了一个测试,保持内存频率不变。可以看出,随着时序变小,内存的性能越来越强。 oHH 显卡首页

另外,在时序改变后,内存延迟的变化比内存读写速度的变化更明显,这也说明时序对内存的影响更集中在延迟上。 oHH 显卡首页

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现在,你明白了吗? oHH 显卡首页


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      • 窦唯
        窦唯

        几次讲话让人感觉水平差了点

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