三代DDR4内存和四代内存的区别在哪呢？

安装必看：如何区分三代和四代内存？

手指触点，每个触点之间的间距为0. 85cm，而DDR3内存的金手指触点数量仅为240。

仔细看，这是一条曲线

由于触点数量的大量增加，DDR4的金手指还设计为略有突出的中间，较窄的边缘，并且在中心的高点和两端的低点之间具有平滑的曲线过渡。这种设计有助于确保内存具有足够的接触面以确保更稳定的信号传输，并且可以与主板插槽产生足够的摩擦力来稳定内存。

为了容纳更多的信号层，ddr4模块比DDR3稍厚。

DDR4的安全缺口（中间的缺口）比DDR3更靠近中间。这意味着DDR4和DDR3彼此不兼容，并且旧平台主板无法升级ddr4内存。

2.频率

从频率上看，DDR3的起始频率仅为800MHz，最高频率可以达到2133MHz。 DDR4的起始频率达到2133MHz，最高频率达到了惊人的5400MHz。 DDR4的更高频率在所有方面都比DDR3显着提高了性能。

具体来说，如果DDR4的每个引脚可以提供高达2Gbps的带宽，则3200为5 1. 2GB / s，比DDR3-1886的带宽高70％。

3.容量

在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接是通过多点分支总线实现的。这种设计的特点是，一旦数据传输量超过了通道的承载能力，无论您如何增加存储容量，都将提高多少性能。

因此，DDR4放弃了此设计，而是采用点对点总线：内存控制器的每个通道只能支持单个内存。这种设计的好处可以大大简化存储模块的设计，并使其更容易获得更高的频率。但是，点对点设计的问题也很明显：一个重要因素是点对点总线的每个通道只能支持一个内存，因此如果单个DDR4内存的容量不足，它将很难有效地增加系统的总内存。

3DS技术是DDR4的核心技术。 3DS技术最初是由Micron提出的。它类似于传统的堆叠包装技术。例如，许多移动电话芯片中的处理器和内存被堆叠并焊接在母板上以减小体积。堆叠式焊接与堆叠式封装之间的区别在于，一个位于芯片中。包装完成后，将它们堆叠在PCB上；另一个在封装芯片之前堆叠在芯片内部。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠式封装可以大大减小芯片面积，这对产品的小型化非常有帮助。

使用3DS堆叠包装技术后，单个存储器的容量可以达到当前产品的8倍。例如，当前常见的大容量内存具有8GB的单个容量（单芯片512MB，总共16个），而DDR4则可以达到64GB甚至128GB。

4.电压和功耗

每次内存升级始终带来更低的电压和更低的功耗。 DDR3存储器的电压为1. 5V，而DDR4存储器的电压低至1. 2V。较低的电压可降低温度，较低的温度可延长使用寿命，并降低机箱的散热压力。

结论

DDR4在容量，频率和功耗方面都大大超过了DDR3。如果您想配备一台新计算机或对性能有更高的要求，朋友建议您选择DDR4。如果这是旧的平台升级，那么除了DDR3别无选择。

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