高通宣布两个新的KraitCPU架构：增加电压？

CES已成为移动处理器的新战场：NVIDIA Tegra 4已成为世界上第一个备受瞩目的四核A15 SoC，英特尔推出了新的Atom Z2420以打入低端市场，而高通公司已正式宣布宣布了两个新的Krait CPU架构。

Krait是高通公司基于ARMv7指令集开发的兼容体系结构。自去年诞生以来，它一直牢牢占据着智能手机SoC市场的主导地位，但与从Scorpion过渡到Krait的情况不同，这次发布的高通公司的新架构并未将其命名为“ Krait 300”和“ Krait 400”。还可以看出，它们并不是真正的新设计，而是现有产品的增强版本。

Krait 300

它仍然是采用台积电的28nm LP工艺制造的，装配线没有改变，但是核心频率从目前的1. 5GHz提升到了1. 9GHz，可与Tegra 4相提并论，但我不知道它是如何获得的。即将来临：增加电压？改善版面和产量？

Krait 300现在具有一个硬件数据预取器，它可以快速从主内存中检索数据并将其发送到辅助缓存。原始的Krait不具备此功能。

单线程性能原本是高通公司的强项。 Krait 300进一步迈进了一步，提高了分支预测的准确性，并且由于管道深度保持不变，更精确的分支预测可以直接带来更高的IPC和更高的能源效率。

高通公司和ARM公司都不会对可以无序执行的指令类型有清楚的了解，但是我们知道Krait 300可以执行更多的指令。强大的乱序执行引擎（OoOE）对于提高性能至关重要，执行指令集的类型数量与单线程性能直接相关。

Krait 300现在还支持管道之间的转发，并改善了浮点和JavaScript性能，但是细节尚不清楚。

通常，在相同频率下，与现有架构相比，Krait 300的性能可提高约15％，并且频率可提高20-30％。这不足以赶上Cortex-A15，但功耗和能效要好得多。与Intel Atom相比，即使不能超过它，它也至少可以达到相同的水平。

Krait 400

如果说Krait 300是主流级别，那么Krait 400就是超高性能。它采用台积电（TSMC）新的28nm HPM工艺制造，并结合了HKMG技术，并针对低功率峰值性能进行了优化，主频率高达2. 3GHz。

当然，使用新技术意味着高通需要重新设计电路，并且需要调整某些布局。

它不仅具有Krait 300的所有改进，而且还具有一些独特的功能，例如改进的内存接口，更低的主内存延迟和更快的辅助缓存。

Karit 300/400体系结构产品仍将命名为Snapdragon Snapdragon，但是模型系统会丢弃S 4、 S 3、 S 2、 S1，而改为80 0、 60 0、 40 0、 200，智能电视/平板电脑/数字媒体适配器/智能手机，高端平板电脑/智能手机，主流平板电脑和智能手机，入门级智能手机的性能分别降低了一个。今天宣布的是前两个。

Snapdragon 800

Snapdragon 800配备了四个Krait 400 CPU内核，主频率高达2. 3GHz，而单芯片集成图形内核Adreno 33 0、 Qualcomm的第三代LTE基带9x25（现在的基带是分离），80 2. 11ac Wi-Fi无线模块，Hexagon v5 DSP，USB 3. 0主控制器，内存支持双通道32位LPDDR3-1600，还支持30fps 4K超高清分辨率编码解码后，屏幕分辨率可达2560×2048。

高通公司表示，与Adreno 220相比，Adreno 330可以将图形性能提高约50％，并且计算能力几乎翻了一番。

已采样的集成基带9x25和独立MDM9x25基本相同。它们还支持多达UE Category 4 LTE 150Mbps，还支持CDMA2000 / WCDMA / LTE，WCDMA / LTE。

Snapdragon 600

Snapdragon 600具有两个Krait 300 CPU内核，主频率高达1. 9GHz，图形内核为Adreno 320，并且频率将比现在更高。

与当前的S4相比，Snapdragon 600有望带来高达40％的性能提升。

实际上，先前发行的“ MSM8974”和“ APQ8064T”实际上分别属于Snapdragon 80 0、 600系列，并且估计它们将在发布后重命名。

Qualcomm预测，基于Snapdragon 800/600的平板电脑和智能手机将在第二季度开始出现。

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