手机 内存 闪存 UFS2.0、eMMC5.1、LPDDR4是什么？别冷场

对于智能手机，任何组件都可能影响手机的整体性能和体验，例如处理器，内存，闪存，屏幕等。但是，对于以下刚刚入门的新用户，当与其他网民讨论UFS 2. 0、 eMMC 5. 1、 LPDDR4术语时，他们可能会茫然不知所措：这些是什么？别着急，编辑者不妨在这里为您提供一些流行科学。

如果您想了解UFS 2. 0、 eMMC 5. 1、 LPDDR4这两个词的含义和区别，您首先需要了解手机内存和闪存这两个令人困惑的概念。

内存

手机存储器（RAM，随机存取存储器），也称为“随机存取存储器”，是一种内部存储器，可以直接与CPU交换数据，也称为主存储器（内存）。它可以随时读写，速度非常快，通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时数据存储介质。这种存储器在断电时会丢失其存储内容，因此主要用于存储短期使用程序。说到人们，这就是我们经常称呼手机的运行记忆。

在PC平台上，该存储器经历了SIMM存储器，EDO DRAM存储器，SDRAM存储器，Rambus DRAM存储器，DDR存储器的发展，现在已在DDR4存储器和用于手机的LPDDR RAM上流行起来。是“低功耗双倍”的缩写。“数据速率内存”的缩写，与台式机平台上的DDR4内存相比，用于移动平台的LPDDR4可以带来同等的性能（速度），同时考虑到更少的能耗。

Flash

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性存储器（断电后仍可保留所存储的数据信息）。即使关闭电源，数据也不会丢失。数据删除不是单个的单元是固定的块（NOR Flash是字节存储。），块大小通常为256KB至20MB。用外行的话来说，它等同于计算机中的硬盘。断电后，运行中的内存将不会保留已存储的数据。为了长时间防止数据丢失，有必要将数据从内存写入硬盘。对于台式机设备（例如计算机），我们可以插入硬盘，但是对于移动设备（例如手机），这显然是不现实的。

因此，在1984年，东芝的发明者Kamioka Fujio首次提出了快速闪存的概念（在本文中称为闪存）。它具有非易失性的特点，它的记录速度也非常快，并且尺寸很小，因此后来被广泛用于数码相机，掌上电脑，MP 3、手机和其他小型数字产品中。英特尔是世界上第一家生产闪存并将其投放市场的公司。当时是NOR闪存。后来，日立于1989年开发了NAND​​闪存，并逐渐取代了NOR闪存。值得一提的是，广泛用于PC的SSD和手机的ROM本质上是一个家族，所有的都是NAND闪存。

UFS和eMMC

通过上面的简要介绍，每个人都可以理解内存和闪存之间的区别。然后我们不妨先看一下闪存规范eMMC和UFS。其中，eMMC的全名是“嵌入式多媒体卡”，即嵌入式多媒体存储卡。它是MMC协会建立的嵌入式内存的标准规范，主要用于移动电话或平板电脑等产品。简而言之，在原始内置存储器的基础上，添加了控制芯片，然后以统一的方式进行封装，并保留了标准接口供移动电话客户直接使用。在2015年之前，所有主流智能手机和平板电脑都使用这种存储介质。

2011年，电子设备工程联合委员会（JEDEC）发布了第一代通用闪存（UFS）标准，这是UFS 2. 0的前身。但是，第一代UFS并不流行，并且对eMMC标准没有重大影响。

2013年，JEDEC在当年9月发布了针对UFS 2. 0的新一代闪存存储标准。理论上，UFS 2. 0闪存的读写速度可以达到1400MB / s，这不仅大于eMMC的优势，甚至使计算机上使用的SSD变得相形见war。结果，它逐渐取代了高端设备市场中的eMMC，并成为移动设备的主流标准。实际上，有UFS 2. 0的两个版本，其中一个是HS-G2，它是当前的UFS 2. 0。但是，另一个版本是HS-G3，可以称为UFS 2. 1，其数据读取速度将飙升至1. 5G / s，是UFS 2. 0的两倍。

那么，UFS和eMMC有什么区别？不同之处在于，UFS 2. 0闪存规范采用了新标准，该标准使用了串行接口，就像PATA和SATA的转换一样。它支持全双工操作，可以同时进行读写操作，还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工的，必须分别执行读写操作，并且还包装了指令，这在速度方面已经稍逊一筹。而且，UFS芯片不仅传输速度快，而且功耗也比eMMC 5. 0低一半。可以说，这是现在和将来旗舰手机闪存的理想选择。

DDR和LPDDR

DDR =双倍数据速率双倍速率同步动态随机存取存储器。严格来说，DDR应该称为DDR SDRAM。人们习惯称其为DDR。其中，SDRAM是同步动态随机存取存储器的缩写，即同步动态随机存取存储器。 DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，表示双倍速率同步动态随机存取存储器。 SDRAM在一个时钟周期内仅发送一次数据。它在时钟的上升周期内发送数据。 DDR存储器在一个时钟周期内两次发送数据。它可以在时钟的上升和下降周期传输一次数据。数据，因此称为双倍速率同步动态随机存取存储器。 DDR存储器可以在与SDRAM相同的总线频率下实现更高的数据传输速率。

▲DDR结构框图

什么是LPDDR？它的全名是Low Power Double Data Rate SDRAM（低功耗双倍数据速率SDRAM），一种DDR，也称为mDDR（移动DDR SDRAM），它是JEDEC固态技术协会（JEDEC固态技术协会）为低功耗而开发的通信标准。内存，以低功耗和小尺寸着称，专门用于移动电子产品。

DDR内存已经经历了从DDR到DDR 2、 DDR3和DDR4的时代，但是DDR5的时代尚未到来。从DDR，DDR2到DDR3，更高的频率和更低的电压，同时延迟也在增加，缓慢改变了存储子系统，而DDR4的最重要的任务是增加频率和带宽，每个引脚可以提供2Gbps的带宽（ 256MB / s）的频率高达4266MHz，最大存储容量可以达到128GB，正常工作电压可以降低到1. 2V，1. 1V。

LPDDR的工作电压（工作电压）低于DDR的标准电压。从第一代LPDDR到今天的LPDDR4，每一代LPDDR都会使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中，LPDDR4可以提供32Gbps的带宽，输入/输出接口的数据传输速度可以达到3200Mbps，并且电压已降至1. 1V。至于与LPDDR4相同的最新LPDDR4X，它通过将I / O电压降低到0. 6 V而不是1. 1 V，从而节省了更多的功耗。

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