固态硬盘的速度和内存的速度有什么区别？

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存储器的基本结构与固态硬盘的加热结构完全不同。固态硬盘的存储芯片是非易失性存储介质（NVRAM），这意味着内部存储的数据在没有电源的情况下不会丢失。以NAND闪存为例。它的随机访问速度很慢，并且在写入数据之前必须先擦除块，从而使写入速度仅为读取速度的1/2〜1/4。这种现象目前在广泛使用的MLC NAND上更为严重。另外，NAND的寿命也不尽人意。通常，SLC型NAND可以承受约100,000次读写，而MLC型NAND甚至更低。

内存是双倍速率SDRAM（双倍数据速率SDRSM，DDR SDRAM）：也称为DDR，因为它可以在时钟触发沿的上下边缘传输数据，因此即使在总线频率为133MHz，也可以达到2.128GB / s。 DDR不支持3.3V LVTTL，但支持2.5V SSTL2标准。它仍然可以使用现有的SDRAM生产系统，制造成本比SDRAM略高，但仍远远低于Rambus的价格，因为用于制造普通SDRAM的设备只能由DDR存储器生产。稍有改进，并且它也没有专利问题，因此它代表了将来可以与Rambus竞争的存储器开发方向。

内存和固态驱动器之间的区别在于，固态驱动器中的数据不会丢失，但是如果关闭电源，内存中的数据将消失。基础架构的差异决定了存储速率的差异。

ps：在百度上找不到有关底层内存架构的文章。上面的一些信息来自我在书籍中看到的信息。我的记忆中可能有遗漏。希望大家。

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