外媒：三星内存编号命名的秘密

三星内存编号命名的秘密！三星内存编号的秘密（一）三星DDR内存颗粒的数量分为四个数字或字母，由19个部分组成。请参见下面的三星内存编号的，图中有A，B， CDE和F是四段数字或字母，而19部分是指由四段数字或字母A，B，CDE和F组成的数字，主要说明了内存规格，下面我将给您解释。首先，让我解释一下四段数字的一般含义。A部分，我认为不需要解释它。它是制造商SAMSUNG的名称。B部分解释了生产日期内存模块的内存，以三个阿拉伯数字的形式表示，第一个阿拉伯数字表示生产年份，下两个数字表示生产年份在每年的XX周，例如，上图中的446表示该模块位于2004年。如果三位数为532，这表示该内存模块于2005年第32周生产。C部分描述了内存的包装类型，以英文字母表示。这部分将分开。不同的封装类型由字母T，U，N，V，G和Z表示。其中T代表TSOP2封装，U代表TOSP2（无铅）封装，N代表sTSOP2封装，V代表sTOSP2（无铅）封装。 Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（无铅）封装。

D部分解释了内存模块的工作温度和功耗，用英文字母表示。此部分将使用两个字母C和L来表示内存颗粒的不同工作温度和功耗。其中，C表示该内存模块是流行的商用内存，具有正常的功耗，工作温度在0℃至70℃之间； L表示存储模块也是一种流行的商用类型，但是它具有较低的功耗并且可以正常工作。温度也在0°C至70°C之间。在笔记本内存中，标记为L的模块的这一部分更为常见。 E部分描述了内存模块（即CL-tRCD-tRP）的频率和各种延迟，该内存模块由两个英文字母或数字组成。该部分使用五个字母/数字组合A0、B0、A2、B3和CC表示具有不同频率和延迟的DDR内存模块。其中，A0代表模块的工作频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2； B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3； A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3; B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3； CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。

F部分实际上由8个小部分组成，分别表示存储模块的类型，容量，位宽，接口类型，工作电压等。请参阅下一页以获取详细的细分。三星存储号的秘密（二）应该说，F部分是三星存储号中传达最多的内容。它由8个小部分组成，下面让我们详细介绍这8个小部分代表什么。1 2 3 4 5 6 7 8 K 4 X XX XX XXX为了使大家更容易理解数字的含义，您可以根据图中的存储数字对在表中放入1-8个部分。第一部分以“ K”表示，它是内存。只要是三星内存，该部分将始终为“ K”。1 2 3 4 5 6 7 8 K 4 X XX XX XXX第二部分表示内存的类型。内存，由数字或字母组成，“ 4”表示DRAM； 1 K 2 4 3 X 4 XX 5 XX 6 X 7 X 8 X第3部分表示内存的子类别，由字母“ T”组成1 2 3 4 5 6 7 8 K 4 X XX XX XXX第四部分代表存储器的容量，由两个数字组成或字母。

根据容量，这部分将出现“ 28”，“ 51”，“ 1G，“ 2G”和“ 4G”的5种组合，其中“ 28”代表128MB，“ 51”代表512MB，以及“ 1G”“代表1GB，” 2G“代表2GB，” 4G“代表4GB。 1 K 2 4 3 X 4 XX 5 XX 6 X 7 X 8 X第五部分表示内存粒子的位宽，它由两个连续的数字组成。根据粒子的位宽，将有三种组合本部分中的“ 04”，“ 08”和“ 16”。 “ 4”表示粒子只有4位宽，“ 08”表示粒子只有8位宽。 “ 16”表示16位宽。 1 2 3 4 5 6 7 8 K 4 X XX XX XXX第六部分表示逻辑存储区的数量，由一个数字组成。 3表示4个银行，4表示8个银行。 1 K 2 4 3 X 4 XX 5 XX 6 X 7 X 8 X第7部分表示接口类型和工作电压，由数字或字母组成。 “ 8”表示接口类型为SSTL_2，工作电压为2.5V； “ Q”表示接口类型为SSTL，工作电压为1.8V。

1 K 2 4 3 X 4 XX 5 XX 6 X 7 X 8 X第8部分代表产品的版本，由字母组成，字母在字母表中的位置越低，则表示越多较新的内存粒子版本。到目前为止，共有9种版本的Samsung内存颗粒，分别由9个字母“ M，A，B，C，D，E，F，G，H”表示，其中M代表产品的第一个版本， AH则代表2-9版。 1 2 3 4 5 6 7 8 K 4 X XX XX XXX基于我们对上面的Samsung内存编号的理解，我们可以知道图1中的内存颗粒的相关信息：256MB容量，8bit宽度，4bank，SSTL_2接口，[ 2.5V工作电压，第六版，生产，2005年第16周，TOSP2封装，流行的商用类型，正常功耗，工作温度在0°C至70°C之间，工作频率为200MHz（DDR400），延迟是3-3-3。

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