最近发布：[2017]最新的内存命名规则

2012年最新的内存命名规则三星内存目前，许多制造商都在使用三星的内存条生产内存模块，它们在市场中占有很高的份额。由于其庞大的产品线，三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星的内部存储器颗粒使用16位数字代码命名。其中，用户更加关注内存容量和工作速率的识别，因此我们关注这两个部分的含义。编码规则：芯片的K位进一步的类型描述，S代表SDRAM，H代表DDR，G代表SGRAM。位容量和刷新率。具有相同容量的内存使用不同的刷新率和不同的编号。 64、62、63、65、66、67、6A表示64Mbit的容量； 28、27、2A表示128Mbit的容量； 56、55、57、5A表示256Mbit容量； 51表示512Mbit容量。位-数据线引脚的数量，08表示8位数据； 16表示16位数据； 32代表32位数据； 64表示64位数据。第11个位置连接“-”。 Bit 14、15码率，例如60是6ns； 70 7ns； 7B是7.5ns（CL =3)； 7C是7.5ns（CL =2)； 80 8ns； 10是10ns（66MHz）。

例如，使用18个SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装的Samsung DDR存储器。粒子编号的“ 28”表示该粒子为128Mbit，6、的第7个“ 08”表示该粒子具有8位数据带宽，因此我们可以计算出存储库的容量为128Mbits （兆位）16个芯片/ 8位= 256MB（兆位）。注意：“位”表示“数字”，“ B”表示字节“字节”，如果字节为8位，则在计算时除以8。关于内存容量的计算，本文引用的示例中有两种情况：一种是非ECC内存，其中每个8位数据宽度的粒子都可以组成一个内存；另一个ECC存储器，在每64位数据之后仍为8位ECC校验码。使用校验码，可以检测到存储器数据中的两个错误，并且可以纠正一个错误。因此，在实际容量计算过程中，不会计算校验位。带ECC功能的18颗粒记忆棒的实际容量乘以16。在购买时，还可以判断带有18或9个记忆颗粒的记忆棒是ECC记忆。三星型号详细信息K9：Nand Flash K8：Nor Flash K7：同步SRAM（带时钟，快速，网络产品的同步SRAM，6个K6：AyncSRAM（带时钟，快速，移动电话产品，6个晶体管的异步SRAM）K5：MCP （相当于K1 + K8 + K9）K4：DRAM K3：Mask Rom K2：FRAM K1：utRAM（使用SRAM技术，但仅使用晶体管和电容器，因此比SRAM消耗更多的功率，但成本较低） ）三星数字：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L开头的三星闪存通常是MLC闪存，使用MLC闪存的趋势是1Gb（千兆位）128MB（兆字节）2Gb（千兆位）256MB（兆字节）4Gb（千兆位）512MB （兆字节）8Gb（千兆位）1024MB（兆字节）缓存芯片，三星K4T1G164QQ-HCE7。

K表示三星内存； 4表示这是DRAM芯片； T表示DRAM类型，即DDR2 SDRAM； 1G表示容量1Gb（128MB）； 16表示位结构为X16； 4表示内部8Banks；第一个代表性接口是SSTL_18（VDD1.8V，VDDQ1.8V）；第二个Q表示这是三星的第17代类似芯片；-后面的H表示该芯片采用FBGA封装； C代表芯片在正常供电条件下的工作温度范围为0〜95度；最后一个E7代表芯片规格，即DDR2-800（400MHz CL = 5，tRCD = 5，tRP =5)。微米存储器相对于三星的微米（Micron）存储器颗粒容量识别要简单得多。用编号MT48LC16M8A2TG-75来表示微米存储器的编码规则MT48LC16M8A2TG-75含义：MT—— Micron的制造商名称48——存储器类型48代表SDRAM； 46代表DDR。LC——电源电压LC代表16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法为：16M（地址）8位数据宽度； A2——内存内核版本号；代表3V；代表3V；代表5V；代表2.5V。

TG——封装方法，TG表示TSOP封装。 -75——内存工作速度，-75表示133MHz； -65表示150MHz。示例：由18个颗粒组成的Micron DDR内存模块，编号为MT46V32M4-75。内存支持ECC功能。因此，每个存储体都是奇数个存储粒子。其容量计算为：容量32M 4位16 8 = 256MB（兆字节）。西门子存储器目前在国内市场上，西门子的子公司英飞凌（Infineon，于1999年，西门子半导体公司正式更名为英飞凌，总部位于德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片，安全性和IC卡应用IC，通信多媒体芯片，存储设备等。1998年，英飞凌是全球十大半导体制造商之一。）生产的存储颗粒只有两种容量：容量128Mbit的颗粒和容量256Mbit的颗粒。该数字详细列出了存储容量和数据宽度。英飞凌的内存队列组织和管理模式是，每个粒子由4个存储体组成。因此，其记忆粒子模型相对较小，并且识别最容易。 HYB39S128400表示128MB / 4位，“ 128”表示粒子的容量，后三位表示内存数据宽度。

其他情况也是如此，例如：HYB39S128800 128MB / 16bits； HYB39S256800 256MB / 8位。通过在模型末尾添加短线，然后标记工作速率来表示Infineon内存颗粒的工作速率。 -7.5——表示存储器的工作频率为133MHz； -8——表示存储器的工作频率为100MHz。例如：金士顿记忆棒使用16个Infineon HYB39S128400- 7.5记忆颗粒制成。其容量的计算公式为：128Mbits（megabits）16 slices / 8 = 256MB（megabytes）。使用8片Infineon的HYB39S128800- 7.5记忆颗粒生产Ramaxel记忆棒。其容量计算为：128Mbit（兆位）slice / 8 = 128MB（兆位）。 Kingmax内存（即Kingmax，Kingmax集团于1989年在台湾成立）Kingmax内存封装在TinyBGA（Tiny球栅阵列）中。而且包装型号是获得专利的产品，因此我们可以看到，用Kingmax颗粒制成的记忆棒都是工厂自己生产的。 Kingmax内存颗粒具有两种容量：64Mbit和128Mbit。

您可以在此处列出每个容量系列的内存颗粒模型。容量备注：KSVA44T4A0A-64Mbits，16M地址空间位数据宽度； KSV884T4A0A-64Mbits，8M地址空间位数据宽度； KSV244T4XXX-128Mbits，32M地址空间位数据宽度； KSV684T4XXX-128Mbits，16M地址空间位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8位地址空间的16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速度具有四个状态，在模型后以短线分隔以标识内存的工作速度：-7A——PC133 / CL = 2； -7——PC133 / CL = 3； -8A——PC100 / CL = 2; -8——PC100 / CL = 3。例如，Kingmax记忆棒由16个KSV884T4A0A-7A记忆体颗粒制成，其容量计算为：64Mbit（兆位）16个/ 8 / 128MB（兆位）。现代（现代）SDRAM存储器的兼容性非常好。支持DIMM的主板通常可以平稳使用。 SDRAM芯片编号格式为：HY 5a cdefg 5D = DDRSDRAM）； b表示工作电压（空白= 5V，V =3.3V，U = 2.5V）； cde表示容量和刷新速度（16 = 16Mbits，4K Ref，64 = 64Mbits，8K Ref，65 = 64Mbits，4K Ref，128 = 128Mbits，8K Ref，129 = 128Mbit，4K Ref，256 = 256Mbits，16K Ref，257 = 256Mbits，8K参考）； fg表示芯片输出的数据位宽度（40、80、16、32分别表示4位和16位，而32表示内部存储芯片由数个存储体组成（1、2、bank是2的幂的关系）；表示接口（0 = LVTTL〔LowVoltage TTL]接口）； j表示内核版本（可以为空或等待字母，内核越新表示越晚）； k表示功耗（L =低功率芯片，空白=普通芯片）; lm表示封装形式（JC = 400mil SOJ，TC = 400mil TSOP-II，TD = 13mm TSOP-II，TG = 16mm TSOP-II）;否代表速度（ 7 = 7ns〔143MHz〕，8 = 8ns〔125MHz〕，10p = 10ns〔PC-100CL2或3〕，10s = 10ns〔PC-100 CL3]，10 = 10ns〔100MHz〕，12 = 12ns〔83MHz〕，15 = 5ns〔66MHz〕）。

例如，HY57V658010CTC-10s，HY表示现代芯片，57表示SDRAM，65表示64Mbit和4Krefresh周期/ 64ms，8 400mil TSOP封装，10S表示CL = 3 PC-100。 HY，具体数字的含义是：HY代表现代产品；代表芯片类型，其中57 = SDRAM，5D = DDR SDRAM，5P = DDR代表工作电压，其中V =3.3V→U = 2.5V，S =1.8V；代表容量和刷新速度，其中旧数字16 = 16Mbits，4K Ref，64 = 64Mbits，8K Ref，65 = 64Mbits，4K Ref，128 = 128Mbits，8K Ref，129 = 128Mbit，4K Ref，256 = 256Mbits， 16K参考，257 = 256Mbits，8K参考;最新数目减少为两位：64 = 64Mbits，4K Ref，66 = 64Mbits，2K Ref，28 = 128Mbits，4K Ref，56 = 256Mbits，8K Ref，12 = 512Mbit，8K Ref，1G = 1Gbits，84K Ref 代表数据位宽，旧数字为40、80、16、32，分别代表4个16位和32位；新的数字是[k0]8、16、32代表4位，16位和32代表Banks的数目，[k30]2、3代表2 Banks；代表接口，旧数字为0、1、2。它们分别表示LVTTL，SSTL和SSTL2端口。新的数字使用[k30]2、3分别表示SSTL_3、SSTL_2和SSTL_18端口；代表内核版本，可以为空白或字母，例如A，B，C，D等。后者代表内核代表的功耗更多，通常为空白和L，其中空白=普通芯片，L =低功耗芯片;代表包装形式；代表速度，其中5 = 5ns（200MHz），55 =5.5ns（183MHz），6 = 6ns（166MHz），7 = 7ns（143MHz），75 = 7.5ns（133MHz），D4 = DDR400， D5 = DDR533添加到代表温度的新数字，其中I =工业温度，E =扩展温度。因此，通过编号为“ HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒，我们可以了解到这是一个DDR SDRAM内存，采用TSOP封装，容量为256MB，速度为DDR400。

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