事实：如何区分记忆棒？如何区分第二代和第三代？

图1是三代存储器的全貌，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。请记住它们的，因此肉眼可以看到粒子与内存PCB之间的界面上有许多金属圆柱触点，并且粒子封装具有较大的形状和矩形。其优点是低成本和低工艺要求。然而，焊点与PCB之间的接触面积较小，这使得DDR存储器的导电效果较差，容易受到干扰，并且散热也不理想。

FBGA封装使DDR2和DDR3内存颗粒变成正方形（图3），体积仅为DDR内存颗粒的大约三分之一，并且不可见DDR内存芯片上的柱状金属触点）因为柱状焊点以阵列的形式分布在封装下方，所以所有触点都被“包裹”了，在外面看不到，其优点是有效缩短了信号传输距离。

速度和容量：加倍

以前，我们教您如何计算内存带宽的大小。实际上，当我们选择内存和CPU的组合时，我们会看到内存带宽是否大于或等于CPU的带宽，从而可以满足CPU的数据传输要求。

从带宽公式（带宽=位宽×频率÷8））可以知道，与带宽最接近的关系是频率，这是三代内存等效频率再次上升的原因之一。再次是为了满足CPU带宽。

不仅速度提高了，而且随着我们应用程序的改进，我们还需要一个具有更大容量的内存。 DDR时代最流行的内存是512MB和1GB内存，而在DDR2时代，两个1GB的内存只是标准配置，具有4GB内存的计算机正在逐渐增加。将来甚至只有一个8GB内存。这表明人们对内存容量的需求在不断增加。

延迟值：一代高于一代

任何存储器都有一个CAS延迟值，就像A命令B做某事一样，B需要时间思考。一般来说，内存的延迟值越小，传输速度就越快。

从DDR和DDR2、DDR3存储器来看，尽管它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量越来越大，但是延迟值却越来越大，例如DDR内存。延迟值（第一位数的大小是最重要的，普通用户可以注意第一延迟值）为1.[k9]2、2.5、3；在DDR2时代，延迟值增加到3、4、5、6；在DDR3时代，延迟值一直增加到5、6、7、8或更高。

功耗：一次又一次降低

为使电子产品正常工作，它们必须通电。如果您有电，则需要一个工作电压。该电压通过金手指从主板上的内存插槽获得。存储器电压的电平也反映了存储器的实际功耗。一般而言，存储器的功耗越低，产生的热量就越少，并且工作越稳定。 DDR存储器的工作电压为2.5V，其工作功耗约为10W。在DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V；在DDR3内存时代，与DDR2相比，工作电压已从1.8V降低至1.5V，可节省30％至40％的功耗。因此，我们也看到从DDR内存向DDR3内存的发展，虽然内存带宽已大大增加，但功耗却有所降低，并且内存的超频和稳定性进一步得到改善。

制造过程：持续改进

从DDR到DDR2再到DDR3内存，制造工艺不断改进，更高的工艺水平将使内存的电气性能更好，成本更低。例如，DDR内存颗粒广泛使用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒使用0.09微米制造工艺，而DDR3颗粒使用新的65nm制造工艺（1微米= 1000纳米）。

摘要

这是内存知识的结尾。一般来说，内存主要起着CPU数据仓库的作用。因此，提高CPU性能需要保持内存的容量和性能，但不要盲目使用它。内存容量太大。对于大多数用户来说，2GB DDR2 800内存就足够了，而总容量为4GB的高端计算机几乎是相同的。

物理内存和虚拟内存

物理记忆是我们可以看到的记忆棒。虚拟内存是一个“伪”存储棒，它是在硬盘上打开的存储空间。对于物理内存，它是扩展和补充。当内存空间不足时，系统会将一些暂时未使用的数据转储到虚拟内存中。这就像在移动仓库中一样，管理员首先将一些无法销售的货物移至备用仓库，从而为经常进出仓库的货物腾出空间。

DIMM

DIMM的全名是双列直插式内存模块（Dual Inline Memory Module），我们可以简单地将其理解为内存插槽的类型。从原始的SDRAM DIMM到DDR DIMM，再到当前的DDR2 DIMM，几种类型所需的引脚数（金手指），引脚定义间隙等不同，并且不能混用。

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