官方数据：本地内存在这里，但内存价格不会下降

长期以来，我国的半导体产业不发达，没有生产芯片颗粒的能力，严重依赖国外芯片颗粒.

在中国的贸易中，仅2016年1月至10月，中国在芯片上花费了1.2万亿元，是原油额的两倍. 幸运的是，中国现在正在增加对芯片领域的投资，并且进展良好. 人们希望家用内存能够打破DRAM的价格垄断，并购买更便宜的内存，但这是真的吗？

紫光研发基地

家庭存储器的进展概述: 低产量和不成熟的技术

DRAM研发是一项极其昂贵的技术. 2016年，清华紫光集团斥资1000亿元在武汉，南京和成都建设内存芯片和内存制造厂，目标是建设国产晶圆，DRAM颗粒和3DNAND. 其中，DRAM技术研发最困难，进展最慢.

清华紫光内存产品列表

2017年底，少量Unisplendour DDR3内存从电子商务平台流出. 其DRAM技术源自Unisplendour Group收购的Infineon Technologies的存储部门，其生产能力不足，并且尚未解决产量低的问题. 因此它没有被正式出售.

2018年2月28日，紫光集团宣布其DDR4内存将在年内逐步推向市场，并承认其销售规模不会过高，这对年度财务报告影响不大.

在紫光DDR4内存的早期使用Hynix颗粒

目前，我们可以购买尚未公开出售的紫光DDR4内存. 此内存尚未使用紫光粒子. 当然，原因是DRAM容量不足. 使用紫光颗粒的DDR3内存的性能还不错. 经过网友测试，紫光DDR3内存可以在默认电压下超频至2000MHz. 但这不足为奇，毕竟DDR3内存的行业标准就是这样.

就价格而言，Unisplendour Memory似乎不是“良心”. DDR44GB内存高达420元，远非人们对国产内存打破国外垄断价格的渴望，与其他品牌内存相比没有优势. 当然，Unisplendour Memory的实际价格必须等待正式上市后才能发表评论.

本地内存与内存价格降低无关

内存价格很高. 有人期望国内内存可以打破国外技术的垄断，内存价格可以降低. 但是在这里我想给所有人倒水，因为家用内存在短期内不会影响DRAM的价格趋势，原因有以下三个:

1. Unisplendour Group的存储容量小且市场规模小，无法与三星，美光和海力士等主要DRAM制造商竞争.

2. 2018年内存需求仍然很大，原料供应正处于大幅增长阶段，导致紫光内存成本高昂，短期内无法实现实际产品价格. 倒下.

3. 不管产品品牌效应或技术如何，国产Unisplendour Memory的优势不大，短期内难以盈利. 它不会影响财务，因此它没有抗击价格战的能力.

使用DDR3内存

在这里看到的时候，您可能会问，该国发展记忆的努力有什么用？

对我们个人而言，家用内存与内存之间没有区别，但是当上升到全国水平时，家用内存的重要性不亚于家用CPU和家用系统.

早在2015年，我国的超级计算机行业就遇到了美国商务部禁止销售Intel Xeon处理器的禁令. 美国商务部于2015年2月18日发布的通知指出，“天河2系统”和较早的“天河1A”系统使用了两个英特尔微处理器芯片，“被认为可用于核爆炸模拟”.

因此，我们可以看到，如果技术是由他人控制的，那么将来我们将不可避免地面临更多禁令.

此外，其他国家/地区对存储技术的控制也意味着国家信息安全中的致命弱点是极高的风险. 电子产品在现代社会无处不在，内存是电子产品必不可少的关键组成部分. 如果内存中有“后门”

该程序将导致该国许多敏感信息的泄漏.

因此，中国大力发展DRAM和3DNAND是一项国家战略. 存储器价格的下跌不利于中国的半导体产业，甚至存在风险. 我们将在下面提到这一点.

当心风险: 为DDR5做准备

在过去的几年中，许多DRAM制造商陆续关闭，仅留下了三星，海力士和美光. 原因是DRAM不能赚钱.

2017年，市场需求过于旺盛，DRAM制造商的生产能力无法跟上，导致供不应求且价格飞涨的“超级优惠”时期. 但是，三星电子和全球第一，第二大DRAM生产商Sk Hynix正争相扩大DRAM生产. 该报告预测，如果两家巨头继续增加产量，全球DRAM供需形势将逆转，DRAM价格将暴跌. 一旦存储器价格下跌，中国的半导体产业就可能会亏损甚至受到拖累.

紫光制造的DDR3颗粒

这一轮DRAM扩展并非没有根据. 台湾公司的一项调查显示，“三星正试图增加DRAM产量，以增加市场进入壁垒，以防止DRAM价格进一步上涨. ”

三星电子还在2017年第三季度业绩发布会上表示: “它将把华城工厂的nand闪存生产设备转换为DRAM生产设备，还将使用平泽工厂的二楼生产DRAM. ”全球最大的金融机构之一美国银行美林集团预测，三星电子的DRAM生产能力将在未来两年内增长20.3％.

sk海力士也不例外. 2017年7月，sk Hynix将其投资规模增加了近40％，从而使中国无锡DRAM工厂的产能翻了一番. 但是，该报告称，美光在DRAM生产中排名第三，但没有跟进.

在业内人士看来，三星和海力士的举动都是抑制中国半导体产业崛起的手段. 国内的记忆之路非常危险.

摘要:

进入2018年之后，内存行业将正式宣布DDR5内存规范. 下一代DDR存储器的带宽和密度将是当前DDR存储器的两倍. 技术难度也将达到前所未有的高度. DRAM面临新一轮洗牌. 对于中国公司而言，这是一个挑战，也是超越角落的最佳时机. 希望将来，中国的半导体公司能够在DDR5存储器方面发挥重大作用，打破行业垄断地位，并展现大国的风格.

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