完美：关于记忆粒子的小秘密: 不同的粒子完全不同

关于记忆粒子的小秘密: 不同的粒子完全不同

Worldwide.com，3月6日，14:52. 您确定您不再关注此人吗？

谈到记忆，对于普通人来说可能没有什么可谈论的. 尽管它是计算机中必不可少的硬件，但只要容量足够大，就不会对游戏和日常使用体验产生强烈的印象.

但是对于DIY玩家而言，他们追求的是将内存频率刷新到一个新的高水平，同时又缩短了时间.

尽管3600MHz可能比2400MHz的游戏内存高出几帧，但这个数字看起来非常舒适.

确定内存超频的三个主要因素. 一种是CPU的IMC（内存控制器）. 这主要与IMC设计有关，并且与CPU相同. 相同型号的每个处理器的IMC将具有体格上的差异；第二个是主板和主板BIOS，这取决于主板制造商的调整. 最后取决于内存颗粒. 今天的小编将向您展示主流的内存颗粒，这也方便大家便宜地购买. 使用可以超频的内存.

记忆颗粒之间有什么区别？

为什么内存颗粒之间存在物理差异？首先，有很多制造商生产内存颗粒，许多DIY玩家应该知道这一点.

这是一个简短的列表. 目前，消费市场上90％的内存颗粒是由美国和韩国的三大巨头生产的: 美光，海力士和三星.

此外，台湾制造商，例如Nanya，Winbond和Powerchip也将生产它们，但是这些后者制造商现在主要生产服务器内存颗粒，并且消费市场相对较小.

内存颗粒是DRAM芯片. 每个制造商的研发实力，芯片设计和制造工艺都不同，因此所生产芯片的质量自然会有所不同.

同一制造商生产的记忆颗粒也将不断地发展. 例如，海力士的第一代DDR4内存颗粒主要包括以MFR结尾的H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR颗粒，人们将其称为MFR颗粒.

这些粒子可以在2666MHz或2400MHz的频率下稳定运行，但是几乎没有超频的可能性，并且电压无法成功施加.

后来，Hynix引入了以AFR结尾的颗粒. 这一代微粒显着改善了超频性能. 当施加压力时，超频可能会超频，并且频率会大大增加. 现在已经迭发到第三代CJR粒子.

当前主流的内存颗粒是什么？

那么当前主流的内存颗粒是什么？让我们来谈谈制造商.

Hynix

我在示例中使用了Hynix，让我们先谈谈Hynix粒子.

我刚刚说过，Hynix的第一代主要DDR4内存颗粒是MFR颗粒（也称为Hynix M-die），采用25nm工艺，MFR颗粒稳定且耐用，但是几乎没有超频能力，而且在低频中比较常见. DDR4内存.

但是，与三星出色的超频机身相比，Hynix处于劣势.

为了改善这种情况，从2015年底开始，Hynix推出了三种颗粒: H5AN8G6NAFR（8Gb），H5AN8G8NAFR（8Gb），H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb），宣布了AFR颗粒（也称为随着Hynix A-die的到来.

通常，使用21nm工艺的AFR颗粒具有比MFR更好的超频能力. 在3200MHz上加电压并不难，但身体不适，高频定时也很普遍.

Hynix CJR粒子

这是SK Hynix C-die粒子，是继MFR和AFR之后的第三代8Gbit粒子.

使用1X nm（通常为18nm）工艺，因为模型“ H5AN8G4NCJR”和其他带有CJR后缀的粒子，它们也称为CJR粒子.

CJR粒子具有良好的体质，更重要的是，它们与最近火爆的Ryzen平台非常兼容. 3600MHz易于使用，因此已成为DIY播放器的宠儿，尤其是AMD平台播放器.

此外，海力士还推出了新一代的JJR（J-die）颗粒，但是该颗粒将替代以前的MFR和AFR颗粒，而超频机身则稍逊于CJR颗粒.

简而言之，在当前市场上主流的Hynix颗粒中，CJR> JJR> AFR> MFR按体质排名. 当然，并不排除某些体格特殊的情况可以做到如下.

三星

三星内存颗粒早在DDR3时代就非常有能力，并在DIY界树立了声誉. 在DDR4时代也是如此. 在这里，我们不得不提到三星B-die粒子.

三星B-die是DDR4时代的超频传奇. 它大部分是在20纳米工艺中制成的. 他完成了许多内存超频记录. 这是DIY玩家心中最好的粒子.

三星B-die与AMD和Intel非常兼容. 在Intel平台上达到4000MHz以上的频率是一项基本操作，并且计时仍然很低，这在播放器中非常受欢迎.

但是，我们经常谈论的B-die粒子实际上是5WB后缀系列中的BCBP粒子，例如K4A8G045WB和K4A8G085WB.

这些粒子是专门为旗舰记忆而选择的，因此更准确地说，一个好的身体被称为“特别选择的B-die”.

尽管剩下的普通B骰子体质良好，但没有挑战超频记录的能力. 还有一个剩余的B-die. 这些是最糟糕的B骰子.

不幸的是，三星去年宣布停止使用B-die颗粒，一代传奇人物结束了.

现在，在市场上购买三星B-die颗粒存储器变得越来越困难. 一些内存制造商曾经制造过昂贵的旗舰产品.

三星A-die和M-die取代了B-die颗粒. 新的粒子增加了密度，并且单个粒子的容量更大，从而降低了成本，并且便于制造单个32GB或更大的内存.

据三星称，A模的超级能力与B模的超级能力相同或更好，但容量更大，而M模则稍逊一筹.

但是，三星这样的好颗粒主要用于市场和服务器市场. 消费市场尚未到来. 在生产能力提高之前，我们可能无法实现.

除此之外，当前市场上的三星颗粒还包括相对较普通的C-die和E-die.

总而言之，让我们讨论一下目前每个人都可以买到的三星内存颗粒的体格，特别是B-die>正常B-die>剩余材料B-die>C-die≈E-die，以及A-die和M -die，因为它在市场上不可用或未经测试，所以我什么也不会说.

微米

以前，DIY圈中微米颗粒的数量相对较少，通常稳定且耐用，但超频性能不如三星抢眼.

Micron B-die是一个相对较早的DDR4颗粒，也是Micron出货量较大的颗粒. 这种类型的粒子稳定且耐用，但不要考虑如何对其进行超频，只需默认购买即可.

此外，美光公司还设有子公司Spectek，该公司专门处理无法通过美光公司测试的降解颗粒. 这些降级的内存颗粒将标有Spectek的Big S徽标，称为Big S颗粒.

大S颗粒都是微米级的降级薄膜，但是有好有坏.

例如，美光公司生产频率为3200MHz的内存颗粒，并将不符合要求的内存颗粒降级为2400MHz销售标准. 那你就不能说这些微粒不符合3200MHz的要求；

但是也有一些大的S颗粒通过低端内存筛选标准进行筛选，并且产率极低. 这些是垃圾颗粒.

因此，大的S颗粒混合在一起，它们也是许多山寨记忆棒喜欢使用的记忆颗粒. 最好避免自己不熟悉粒子模型的DIY玩家.

当然，随着时间的流逝，美光科技公司与Hynix一样努力工作，推出了一批易于获得高频率密钥价格且不昂贵的粒子. 最近的大火打破了以5726MHz对DDR4内存进行超频的记录. 电子骰子.

Micron E-die是Micron在2017年底生产的颗粒. 直到三星的B-die生产结束时，没人玩. 直到19年，具有魔力的DIY玩家才发现它.

Micron E-die在超频器的手中很难超频至4000MHz，但是必须增加电压并且很难缩小时序.

尽管存在一些缺陷，但美光E-die最近受到吹捧，因为目前美光E-die主要用于英瑞达的原始记忆中. 最低价格只有200多块，非常实惠，可以称为平民法拉利.

微米E-die颗粒的不同模型也将具有物理差异. 目前实践最好的人是C9BJZ，其次是D9VPP，其他人与普通B骰子没有显着差异.

如果对Micron粒子的体形下达命令，则可能是E-die C9BJZ> E-die D9VPP>其他E-die> B-die>大S.

在阅读了每个公司的摘要之后，每个人都应该能够理解哪个微粒更好，但是应该如何将这三个公司排序在一起？

别着急，这里小编简要总结了一个简单的内存粒子阶梯表供您参考，有需要的朋友也可以保存它.

那您如何看待记忆粒子？

在正常情况下，记忆粒子的表面上有其数字，但如今的记忆基本上是背心的. 对于普通消费者来说，打开背心看颗粒是不切实际的.

这时，一种更方便的方法是通过软件Thaiphoon Burner，该软件可以读取内存中的各种信息，让我教您如何使用它.

百度下载软件后，直接将其打开，然后单击红色框中的“阅读”以进入信息页面.

我的记忆是Team Group产生的记忆. 它使用了Hynix粒子. 粒子编号以CJR结尾. 型号也是C-die. 显然，我的内存使用的是Hynix粒子. CJR粒子.

以此类推，该存储器是美光的D9VPP电子管芯.

此内存是BCPB特别选定的三星的B-die.

但是，台风并不完全准确. 它是根据其大数据进行估算的，但也密不可分. 如果要观看，请记住将软件更新到最新版本，以提高可靠性.

摘要

事实上，除了少数发烧友自己动手做的DIY玩家外，记忆粒子的体格仍然对大多数人没有影响. 大多数人会购买记忆并回去. 默认情况下使用XMP非常舒适. 本文也适合很小的读者. DIY爱好者.

对于这组爱好者，小编终于提出了购买建议.

三星的B-die已停产，现在基本上只存在于高价位的旗舰内存中. 别太苛刻. 美光的C9BJZ是一个不错的选择.

目前，C9BJZ主要用于Micron自己的Inruida内存中. 在某个East平台上自营的Inruida Platinum win 3000MHz背心可能使用C9BJZ颗粒.

目前，此内存以涨价售罄. 喜欢折腾的玩家可以注意.

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