内存性能指标

描述5261的内存性能的主要技术指标是:

1. 速度4102

使用访问数据的时间（单位通常为ns）作为性能指标，记忆棒的速度通常为1653. 时间越短，速度越快. 普通存储器的速度只能达到70ns至80ns，EDO存储器的速度可以达到60ns，SDRAM存储器的速度达到7ns.

注: 内存模块的制造商很多，并且还没有统一的标签规范. 因此，不能简单地从存储芯片标签上读取存储器的性能指标，而可以理解其速度，例如-70或－-60，其他数字表示该存储芯片的速度为70ns或60ns.

2. 容量

内存模块的容量有多种规格. 早期的30行内存模块具有256K，1M，4M和8M容量. 72行EDO存储器主要为4M，8M，16M和168行SDRAM存储器，其中大多数为16M，32M​​，64M，128MB甚至更高. 图5-1是一个独特的64MB记忆棒.

3. 奇偶校验

为了验证访问数据的准确性，存储棒中的每个8位容量可以配备1位作为奇偶校验位，并且主板的奇偶校验电路可以用来正确地验证访问数据的准确性. 访问的数据. 但是，实际使用中是否存在奇偶校验位对系统性能没有影响，因此当前大多数记忆棒都不再配备校验芯片.

注: 计算机以二进制形式表示，表示为0和1. 当机器将数据写入内存时，它实际上存储代码01，而奇偶校验是存储在单元中的代码数量. 将统计结果保存在奇偶校验位中. 当计算机从内存中提取数据时，奇偶校验会比较统计结果与实际读取的数据是否一致，从而确保内存数据的正确性.

4. 内存电压

FPM存储器和EDO存储器均使用5V电压，而SDRAM使用3.3V电压. 请注意，主板上的跳线在使用过程中不会设置错误.

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