英特尔美光宣布推出新的存储芯片.

英特尔和美光表示，他们计划明年开始销售新型存储芯片. 该芯片的速度可以达到当前大多数移动设备中使用的NAND闪存芯片的1000倍，并且可以存储的数据容量是主流DRAM存储器芯片的10倍.

这项技术称为3D Xpoint. 尽管处理速度不是很接近DRAM芯片，但是它就像NAND闪存芯片一样，即使关闭电源也可以保存数据. 英特尔和美光没有透露太多有关3D Xpoint的技术细节，包括他们使用的关键材料，但表示他们采用了一种独特的方式来存储数据.

英特尔和美光公司的高管们预测，新芯片的速度将带来新型应用程序，这将使整个行业受益匪浅，特别是那些功能模型基于大量数据的应用程序，例如语音识别，金融欺诈检测和基因组学习.

“这确实是一项革命性的技术，”美光公司首席执行官Mark Durcan在周二的技术发布会上说. 英特尔高级副总裁罗布·克鲁克（Rob Crooke）说: “这是许认为不可能的技术. ”

但是，这项新技术的重要性和独创性可能存在争议. 近年来，许多其他公司都宣布了在存储芯片开发方面的重要进展. 初创公司Crossbar的战略营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois表示，英特尔和美光似乎都在模仿其电阻式RAM技术. 杜博斯说: “这听起来很像我们已经拥有的技术. ”

诸如Everspin Technologies之类的其他公司也认为，他们在为稳定的数据存储芯片提供DRAM级速度方面处于领先地位.

英特尔和美光计划最初生产能够存储128Gb数据的两层芯片. 该存储容量相当于一些现有的NAND芯片. 随着越来越多的电路堆叠在芯片中，英特尔和美光科技计划在将来增加芯片的存储容量.

参加该技术发布会的分析师周二表示，硬件设计师需要时间来决定如何或是否使用该技术. 英特尔和美光声称，现有技术所提供的产品在速度上的改进远不如新芯片.

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