Intel Micron宣布新的内存速度比旧产品快一千倍

7月29日，英特尔和美光科技将开始生产更快的新型存储芯片. 两家公司表示，新技术将改变计算机访问大量数据的方式.

两家公司在周二的一份声明中表示，新芯片中的“ 3D XPoint”技术是25年来出现在存储芯片市场上的第一项主流新技术. 速度是市场上当前内存的1000倍. 该芯片可用. 它可以将数据存储在移动设备上，并且被越来越多的计算机使用.

随着越来越多的设备连接到Internet并相互连接，数据量也在增加，这种新的内存旨在使计算机能够更快地访问这些数据. 两家公司还表示，新的内存将有助于提高数据密集型任务的效率，例如实时疾病跟踪和身临其境的模拟游戏. 现有内存太昂贵或太慢而无法完成这些任务.

美光公司总裁马克·亚当斯（Mark Adams）在一份声明中说: “在现代计算机中，最大的障碍之一是处理器需要很长时间才能在长期存储设备中查找数据. 术语内存是一项技术革命. 它可以快速访问海量数据集并支持新的应用程序. ”

根据市场研究公司Gartner的分析师的说法，这项新技术最初可能被Facebook和Google等公司用来提高大型数据中心服务器的性能. Gartner分析师马丁·雷诺兹（Martin Reynolds）表示: “这对他们来说是一个极大地增加服务器内存量的好机会. 这是一个可以带来新增长的新市场. ”

尽管英特尔和美光没有披露3D XPoint技术中使用的材料，但两家公司表示，新的内存使用不同的架构，并且不基于晶体管. 40多年来，晶体管一直是集成电路不可或缺的一部分. 美光与英特尔建立了合资企业，以生产闪存芯片. 芯片制造商将在今年晚些时候将样品发送给潜在客户. 美光在犹他州的工厂将于明年开始生产这种存储器.

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