DDR4内存的终极分析（1）-DDR4内存颗粒

分析DDR4内存的新功能

如果带有Haswell-E处理器的X99平台是DDR4的首秀，那么以Skylake为首的Intel 100系列芯片组将正式向公众推广DDR4内存. 如今，DDR4内存的价格不断下降，已经被完全取代. DDR3的发展趋势，与DDR3内存相比，DDR4内存的频率为2133MHz，某些高频内存已达到3200MHz. 以下将在有关DDR4内存的规格和应用的一系列章节中全面分析DDR4.

DDR4内存的新功能

1. 外观一直以来，内存的金手指一直是线性的，但是在DDR4代中，内存的金手指已经发生了显着变化，也就是说，它已经弯曲了. 实际上，将扁平的内存金手指插入内存插槽后，摩擦力更大，因此内存很难拔出且难以插入. 为了解决此问题，DDR4将内存的下部设计为稍微向中间突出. ，短边的形状. 中心的高点和两端的低点以平滑曲线过渡. 这种设计可以确保DDR4内存的金手指和内存插槽触点具有足够的接触面，并且信号传输可确保信号的稳定性. 同时，中间的凸起部分和内存插槽产生足够的摩擦力来稳定内存.

DDR4内存的新功能

2. 带宽和频率DDR4内存显着增加了频率和带宽. 在DDR的开发过程中，增加数据预取已成为主要的性能改进方法. 但是在DDR4时代，增加数据预取变得更加困难，因此引入了Bank Group设计. 每个Bank Group可以独立读取和写入数据，从而大大提高了内部数据吞吐量，可以同时读取大量数据，并且在此设置下内存的等效频率也大大提高了. DDR4架构使用8n个预取的Bank Group组，包括使用两个或四个可选的Bank Group组，这将使DDR4内存的每个Bank Group组具有独立的激活，读取，写入和刷新操作，从而提高了整体效率和内存的带宽. 这样，如果在存储器内部设计了两个独立的存储体组，这相当于每次操作16位数据，则​​由于伪装，存储器预取值会增加到16n. 如果是四个独立的银行组，则预取值将被掩盖. 增加到32n.

3DS（三维堆栈）技术

3. DDR4内存的容量使用3DS（三维堆栈）技术来增加单个芯片的容量，单个内存的容量增加到128GB，甚至消费者台式机版本也有16GB，四个则可以建立64GB的容量. 3DS技术最初是由Micron提出的. 它类似于传统的堆叠包装技术. 例如，手机芯片中的许多处理器和存储器都堆叠在主板上以减小体积. 堆叠式焊接与堆叠式封装的区别在于，一个位于芯片内. 完成封装后，将它们堆叠在PCB上；另一个在封装芯片之前堆叠在芯片内部. 一般来讲，在散热和工艺允许的条件下，堆叠式封装可以大大减小芯片面积，这对产品的小型化非常有帮助. 在DDR4上，堆叠封装主要以TSV硅通孔的形式实现.

4. 电压和功耗DDR4存储器电压下降到1.2V，并且DDR4存储器还使用TCSE（温度补偿自刷新，主要用于减少自刷新期间存储芯片的功耗），TCAR温度补偿自动刷新，温度补偿自动刷新（类似于T CSE），DBI（数据总线倒置，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，减少开关操作）和其他新技术来减少内存操作功耗.

进入DDR4内存时代，内存制造商的数量出现了许多新面孔，但上游的内存颗粒（DRAM）制造商是三星，SK Hynix和美光. 在DDR3时代，尔必达感到不安. 并没有拿出相应的产品. 影响内存性能（频率和时序）的最重要因素是内存颗粒本身. 内存粒子的特性决定了内存可以达到的频率和时间. 高频和低时序的结合可以提高存储器的读写性能. 让我们介绍一下三星，SK海力士和美光的DDR4内存颗粒.

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/shoujiruanjian/article-291778-1.html