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CCD 的公司分别为：SONY、Philps、Kodak、Matsua、Fuji 和Sharp，大半是**厂商。

" a( M6 T- a1 \7 X: D4 m' GCMOS（Complementary etal-Oxide Semiconductor，附加金属氧化物半导体组件）和CCD 一

Va. W3 p6 G- F样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS 的制造技术和一般计算机芯片没什

' L5 g3 V4 t; Y' Y' V4 Y% c么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS 上共存着带N（带$ I& x8 f8 y! g4 I3 Q; \1 V' \# Q

–电） 和 P（带 电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和0 [4 L- d9 _. l3 d1 o4 G9 ?

解读成影像。然而，CMOS 的缺点就是太容易出现杂点， 这主要是因为早期的设计使CMOS1 Z: e* z' m5 l8 g: f' J0 F& o

在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。0 ~8 y' L2 e @; [

CCD 和CMOS 各自的利弊，我们可以从技术的角度来比较两者主要存在的区别：5 p; V& M t4 _( Q

信息读取方式不同。CCD 传感器存储的电荷信息需在同步信号控制下一位一位的实施转移

. C: S/ L, |8 _1 F后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路

: j$ x- M1 X& y o' S较为复杂。CMOS 传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。

" [0 e1 w! c' j) P) l速度有所差别。CCD 传感器需在同步时钟的控制下以行为单位一位一位的输出信息，速度

! a2 N* J6 V- }1 E! e7 t; I- y较慢；而CMOS 传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图象F) f; u7 f' b; a0 \- S* K6 G

信息，速度比CCD 快很多。: y' W1 W$ |% a& m

电源及耗电量。CCD 传感器电荷耦合器大多需要三组电源供电，耗电量较大；CMOS 传感a; x' m3 e; l1 y- ~/ U

器只需使用一个电源，耗电量非常小，仅为CCD 电荷耦合器的1/8 到1/10，CMOS 光电传; ~. f) ^: ~& A/ pt f: \6 I

感器在节能方有很大优势。- a8 O5 N4 i; S2 @4 E

成像质量。CCD 传感器制作技术起步较早，技术相对成熟，采用PN 结合二氧化硅隔离层

- j, {; Q' j% j! }" K隔离噪声，成像质量相对CMOS 传感器有一定优势。由于CMOS 传感器集成度高，光电传

; }7 Q( E2 D7 e; {0 W W感元件与电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰较为严重，噪声对图象质量影响很D p6 A2 E, T' x

大。$ G \7 K( @" F& W7 w7 a

在相同分辨率下，CMOS 价格比CCD 便宜，但是CMOS 器件产生的图像质量相比CCD 来* f6 T- O x! x" r

说要低一些。到目前为止，市面上绝大多数的消费级别以及高端数码相机都使用CCD 作为

4 D8 V% ]; d0 N) @' O( c感应器；CMOS 感应器则作为低端产品应用于一些上。是否具有CCD 感应器一度成, Y% w( \# O }. C$ T

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