NVIDIA发布图灵架构新一代显卡代号Ampere安培显卡

NVIDIA上周发布了具有Turing架构的新一代GeForce RTX显卡，主要包括RTX 2080 Ti，RTX 2080和RTX 2070显卡，它们使用12nm FFN工艺的Turing Turing内核。图灵建筑图形卡带来了新的光线追踪渲染技术，但其结构和工艺与Volta相比并没有太大变化，这一代显卡主要用于高端市场，而低端产品可能无法使用。 NVIDIA代号为Ampere的下一代图形卡将升级为7nm工艺。尽管性能仍然未知，但7nm工艺的好处之一是大大减小了核心面积。现在GV102或TU102的核心面积为754mm2，将减少到大约440mm2。

3DCenter网站在上周的一篇文章中总结了NVIDIA 2016-2020 GPU芯片路线图。不用说，Pascal架构的一代主要是新的Volta / Turing 12nm芯片和未来的Ampere 7nm芯片。

他们的路线图实际上并不新鲜。 3DCenter之前做了总结。所不同的是，这次制作了更直观的图表。在12纳米工艺的Volta / Turing图形卡中，目前有三种主要类型。 Core-GV100的核心面积高达815mm2，现在GV102是TU102的核心面积是754mm2，GV014是TU104的核心面积，他们估计是500mm2，实际上，我们之前已经做过精确的计算，核心面积约为530-550mm2。

Volta / Turing体系结构可能仅具有这三个芯片。有传言说将会有RTX 2060图形卡，但不确定是否会有。 12nm节点的GPU架构更适合于高性能计算和AI计算。尽管Ling为游戏添加了光线追踪核心，但总体架构仍是Volta。核心区域要比Pascal一代大得多，并且成本很高，这对于低端产品来说是不利的。

对于主流市场参与者，请等待下一代7nm工艺的Ampere图形卡。尽管尚无阴影，但3DCenter已根据7nm工艺的特性进行了估算。使用新工艺后，安培架构的GPU核心面积将大大减少，GA100将会减少。 GA102的核心面积约为550mm2，减少到440mm2，GA104的核心仅为290mm2，而主流的GA106的核心仅为190mm2、GA107为120mm2，而入门级的GA108的核心仅为67mm2。

相比之下，7nm安培GPU的核心面积同比减少了约30-40％，这有助于降低成本和制造难度。

NVIDIA的7nm GPU也将由台积电制造。台积电还在7nm节点上准备了多个版本。 7nm高性能工艺已经可以用于制造AMD的高端CPU。根据台积电的消息，与16纳米FF工艺（12纳米FFN工艺也是16纳米工艺的改进版本）相比，台积电的7纳米工艺（代码N7）将使性能提高35％，能耗降低65％，并且晶体管密度是以前的三倍。2019年初，将启动EUV工艺7nm +（代号N7 +）工艺，晶体管密度提高20％，功耗降低10％ ，并且性能不会改变。

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