三星s7edge相机设置图2硅光与其他工艺下AWG波导尺寸对(3)

图4所示为InP材料和硅基材料的晶圆尺寸对比，显然受到材料制备特性的限制，传统III-IV族光电器件仅能够在3-4英寸晶圆上面实现，而硅光器件却能够在8-12英寸晶圆上面一次加工，且硅光芯片尺寸更小，因此能够在一次加工中得到更多的芯片，也使得生产单个硅光芯片的费用远低于传统光电芯片。

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