三星nvme驱动 SSD固态硬盘怎么选择？集性能、稳定于一体的SSD有哪些主要固件？(3)

相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。

由于已经向垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星、Intel和美光可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，做成3D NAND MLC或者3D NAND TLC。现在三星已经就这样做了，850 Pro是3D MLC，850 Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。

将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。

三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光这四大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了。三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品。

Intel本来就是做存储技术起家的。虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松。根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严。Intel准备在2016年开始推出基于3D XPoint技术的存储产品，内存容量可达6TB，值得关注。

传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势。

2D的TLC闪存由于各种问题是不会成为主流的，基本上只会有低价入门级的SSD会使用，现在的TLC SSD很多都是试验性产品，但是等到3D TLC产后，它将会成为未来的主力。

3、固件算法：

SSD的固件是确保SSD性能的最重要组件，用于驱动控制器。主控将使用SSD中固件算法中的控制程序，去执行自动信号处理，耗损平衡，错误校正码（ECC），坏块管理、垃圾回收算法、与主机设备（如电脑）通信，以及执行数据加密等任务。由于固件冗余存储至NAND闪存中，因此当SSD制造商发布一个更新时，需要手动更新固件来改进和扩大SSD的功能。

由于固件研发上的区别，采用相同主控的SSD也可能表现出完全不一样的性能和耐久度。而固件则通常是由厂商自行开发，并且时有更新，可以改善SSD性能并解决一些曾经出现的已知问题。如果用数字来说，一块SSD中颗粒对性能的影响大约占60%，而固件与主控的影响会在20%左右。

开发高品质的固件不仅需要精密的工程技术，而且需要在NAND闪存、控制器和其他SSD组件间实现完美整合。此外，还必须掌握NADN特征、半导体工艺和控制器特征等领域的最先进的技术。固件的品质越好，整个SSD就越精确，越高效。目前具备独立固件研发的SSD厂商并不多，仅有Intel、闪迪、英睿达、浦科特、OCZ、三星等厂商。

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