刷了这么久知乎终于有一题能答一下了

很久以后，我知道我终于可以回答一个问题...

SLC，MLC，TLC，QLC是写入速度较慢的重要原因，但是相同的TLC也可以实现极其恐怖的读写性能

U盘常用的H2测试工具（但不建议您使用自己的U盘来测试。）

速度即将赶上SSD U盘

这是绑定到多个芯片的TLC USB闪存驱动器。它还支持UASP协议。您可以看到读写速度几乎相同。 （这不是我做的，我不能提供太多数据，因为他们不会提供，更不用说它属于谁了）

AU磁盘由一个主控制器和几个NAND闪存组成（当然，还有电路板和某些组件。），决定U磁盘性能的因素很多，例如Nand Flash颗粒的碎片。用于绑定的算法或主设备在操作Flash时使用的数据频率也与Flash粒子本身的性能有关。一般而言，主控件的数据吞吐率不会成为写入性能的限制瓶颈（毕竟，在大多数情况下，写入速度远低于读取速度）。在这里，我尝试一个接一个地回答。我没有一个可以完美匹配主题表现的环境，因此数据会有些差距，但是很高兴明白我的意思。让我们看一下为什么SLC比TLC快得多。

不愿透露姓名的TLC Flash A的性能评估

上图是TLC闪存。通用TLC Flash可以支持SLC模式进行操作。然后逐行解释上图中的数据：

1、在SLC模式下块的页数，十进制为768

2、在TLC模式下块的页数，十进制数为2304

3、以SLC模式写入块所花费的时间

4、以SLC模式读取块所花费的时间

5、从SLC复制返回到TLC需要花费时间。 CopyBack可以视为将数据写入TLC块。由于TLC在写入数据时需要执行的操作更加复杂，因此简化了U盘的算法流程。通常使用CopyBack在内部写入数据。

6、以TLC模式读取块所需的时间

..我暂时不讨论其他内容。

从上图可以看出，SLC模式的操作比TLC模式的操作快得多。 SLC表示一个单元存储一个位，而TLC模式表示一个单元存储3个位，因此TLC模式下的块优于一个SLC。模式中的块页面数大3倍，因此容量也大3倍。至于为什么速度会变慢，我可能会介绍Flash数据存储的原理。

图片来自“内部NAND闪存”

Nand Flash存储数据实际上是存储电子的过程，而读取数据是获取由存储的电子产生的电压的过程。显然，在有限的电压范围内，单元需要表达的状态越多，每个状态的电压范围就越窄。就像把水倒入被子里一样。如果要求您倒几乎一整杯水或半杯水，请拿起水壶并将其倒入其中。但是，如果您说必须将水倒入3/8到4/8的范围内，倒水并不是不可能的，但是您只能倒一点以防止过多或少倒水。因此，出于几乎相同的原因，TLC比SLC慢。精度要求越高，速度越慢。

关于为什么书写速度慢于阅读速度的原因，您是倒水快还是看杯子中的水快多少？

让我们讨论一下可以使性能大约提高一倍的绑定。坦率地说，绑定是并行操作，就像只有一条车道的道路必须比两条车道的交通少。绑定两个芯片就是同时操作两个Flash粒子。让我们看一下绑定后的性能。

不想在绑定后命名的TLC Flash A 2Chip的性能

为便于查看，请在此处再次复制以上内容

继续上面未涵盖的项目

7、绑定操作的页面数（此处2和4是因为一个芯片具有多个平面绑定）

绑定8、后，TLC模式下一个块的容量

9、仅在SLC模式下运行时写入速度的理论值

10、仅在TLC模式下运行时写入速度的理论值

1 1、仅在TLC模式下运行时读取速度的理论值

与上述单芯片操作的性能相比，您可以看到单个块的操作速度存在一些波动，可以视为不变，但是容量增加了一倍，而容量增加了一倍。同时，速度也大约提高了一倍。时间。

这是否意味着绑定的芯片越多，速度越高？答案是不。多芯片绑定实质上同时增加了传输接口的数据量。 1个Flash的写入速度为17MB / s，两个Flash的数据量增加了一倍，达到34MB / s，4的数据量是68MB / s的4倍，依此类推，但回想起来，写入Flash的数据具有通过主控层，主控的数据传输速度受到限制。读取速度很容易达到极限。通常，两个芯片绑定在一起。如果要达到写入速度的极限，则可以继续绑定更多的芯片，最后可以在第一张图中实现USB闪存驱动器。同样，读写速度基本相同。

最后，影响速度的另一个重要因素是数据传输的频率。

上面的Flash A，2芯片性能

上面的性能是使用120MBts / s DDR频率测试的。下面，我们将把频率提高一倍至60MBts / s DDR，以查看速度

2芯片60MBts / s DDR性能

当速度降低一倍时，可以清楚地看到，读取速度基本上也降低了两倍，但是TLC模式下的写入性能并未受到很大影响。如果查看时间长度，您还可以看到复制回退时间不是太大，因为这是因为复制回退操作不会执行数据传输。扩展讨论非常复杂，因此在这里我不再讨论。通常，根据Flash粒子的不同模型，它们支持的频率也不同，因此，相同数量的TLC芯片，速度也可能有很大差异。

总结：

1、 U盘读写速度的差异是由于NAND Flash的存储特性造成的。

2、单元存储位数是影响速度的一个方面，但是诸如绑定芯片数之类的因素也会对速度产生很大影响。

3、询问要购买哪种USB闪存驱动器，当然，越贵越好[有趣]

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