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0.47μF50V

电脑杂谈  发布时间:2020-06-04 15:17:07  来源:网络整理

三星电容规格_cbb电容规格_瓷片电容规格

品牌: 三星

容量: 0.47UF

材料: X7R

音量: 0805

片式电容器的命名:

片式电容器名称中包含的参数包括片式电容器的尺寸,制造该片式电容器的材料,所需的精度和要求

电压,所需容量,端子要求和包装要求

奉化系列贴片电容器的命名

片式电容器的命名:

片式电容器名称中包含的参数包括片式电容器的尺寸,制造该片式电容器的材料,所需的精度和要求

电压三星电容规格,所需容量,端子要求和包装要求. 通常三星电容规格,用于订购片式电容器的参数必须具有尺寸,

所需的精度,电压要求,容量值和所需的品牌就足够了.

奉化系列贴片电容器的命名:

0805CG102J500NT

0805: 指片状电容器的小尺寸,以英寸08表示.

表示长度为0.08英寸,而05表示宽度为

0.05英寸

CG: 表示这种电容器所需的材料. 这种材料通常适合制造小于10000PF的材料

三星电容规格_cbb电容规格_瓷片电容规格

以下电容器,

102: 是指电容器的容量,前两位是有效数字,后两位表示有多少个零102 = 10×102,即=

1000PF

J

: 要求电容器的电容值的误差精度为5%,并且介电材料和误差精度必须匹配

500: 要求电容器的耐压为50V,并且500相同.

前两位是有效数字,后一位是指有多少个零.

N: 指尖端材料. 现在一般的提示是指三层电极(银/铜层),镍,锡

T: 指包装方法T

表示编织包装,B代表塑料盒散装包装

片状电容器的颜色比纸板箱的颜色要深得多,并且颜色是灰灰色的,将在特定的生产过程中生产

有所作为

在片状电容器上没有印刷,这与他的制造工艺有关(片状电容器是通过高温烧结形成的,因此无法在其上粘贴

被印刷在表面上),并且片式电阻器被丝网印刷(可以印刷标记).

SMD电容器有中压和高压SMD电容器和普通SMD电容器,

系列电压为6.3V,10V,16V,25V,50V,100V,200V,500V,1000V,2000V,3000V,

4000V

有两种表示片状电容器尺寸的方法. 一个以英寸表示,另一个以毫米表示. 贴片电容器

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列出的型号

是0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225等.

片式电容器的材料通常分为NPO,X7R,Y5V三种类型

NPO这种材料具有最稳定的电性能,几乎不会随温度,电压和时间的变化而变化. 它适用于低损耗并且需要稳定性.

所需的高频电路. 容量精度约为5%,但是这种材料只能用于容量较小的产品,低于100PF,100PF-

也可以生产1000PF,但价格更高

X7R的稳定性不如NPO,但容量却高于NPO,容量精度约为10%.

Y5V

这种介质的电容稳定性较差,电容偏差约为20%,并且对温度和电压敏感,但是这种材料

可以实现很高的容量,而且价格低廉,适用于温度变化很小的电路.

片式电容器之间的材料差异:

NPO,X7R,Z5U和Y5V之间的主要区别在于它们的填充介质不同. 在相同体积下,由不同填充介质组成的电容器的容量是不同的,并且伴随的介电损耗和电容器的容量稳定性也不同. 因此,在使用电容器时,应根据电容器在电路中的不同作用选择不同的电容器.

不同类型的介绍:

1,NPO电容器

NPO是最常用的具有温度补偿功能的单片陶瓷电容器. 其填充介质由rub,sa和其他一些稀有氧化物组成.

NPO电容器是电容和介电损耗最稳定的电容器之一. 当温度为-55℃至125℃时,容量变化为0±30ppm /℃,电容随频率的变化小于±0.3ΔC. NPO电容器的漂移或滞后小于±0.05%,对于膜电容大于±2%的电容器,可以忽略不计. 其相对于使用寿命的典型容量变化小于±0.1%. 根据封装类型,NPO电容器具有随频率变化的电容和介电损耗的不同特性. 大包装尺寸比小包装尺寸具有更好的频率特性. 下表显示了NPO电容器的容量范围.

包装DC = 50VDC = 100V

08050.5 --- 10000pF0.5 --- 8200pF

瓷片电容规格_cbb电容规格_三星电容规格

12060.5 --- 12000pF0.5 --- 18000pF

1210560 --- 56000pF560 --- 27000pF

22251000pF ---0.33μF1000pF---0.18μF

NPO电容器适用于振荡器和谐振器的储能电容,以及高频电路中的耦合电容.

2,X7R电容器

X7R电容器称为温度稳定的陶瓷电容器. 当温度在-55℃至125℃之间时,其容量变化为15%. 应该注意的是,此时电容器的容量变化是非线性的.

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下会有所不同,并且还会随时间变化. 每10年变化约1%ΔC,显示10年变化约5%.

X7R电容器主要用于要求不高的工业应用,并且当电压变化时,其容量变化也是可以接受的. 它的主要特点是在相同体积下可以增大电容. 下表显示了X7R电容器的容量范围.

包装DC = 50VDC = 100V

0805330pF ---0.56μF330pF---0.12μF

12061000pF ---1.5μF1000pF---0.47μF

12101000pF ---2.2μF1000pF---1μF

22250.01μF---10μF0.01μF---5.6μF

3,Z5U电容器

Z5U电容器被称为“通用”陶瓷单片电容器. 这里首先要考虑的是使用温度范围. Z5U电容器的主要原因是其体积小且成本低. 对于上述三个陶瓷单片电容器,Z5U电容器在相同体积下具有最大电容. 但是,其电容量受环境和工作条件的影响很大,其老化率每10年可以降低5%.

尽管其容量不稳定,但由于其体积小,等效串联电感(ESL)低,等效串联电阻(ESR)低,以及良好的频率响应而具有广泛的应用范围. 特别是在去耦电路的应用中. 下表显示了Z5U电容器的值范围.

包装DC = 25VDC = 50V

08050.01μF---1.2μF0.01μF---1μF

cbb电容规格_瓷片电容规格_三星电容规格

12060.01μF---3.3μF0.01μF----2.7μF

12100.01μF---6.8μF0.01μF----4.7μF

22250.01μF---10μF0.01μF---10μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围10℃--- 85℃

温度特性22%----- 56%

4,Y5V电容器

Y5V电容器是具有一定温度限制的通用电容器,其容量在-30℃至85℃范围内可以达到22%至-82%.

Y5V的高介电常数允许以更小的物理尺寸制造高达4.7μF的电容器.

Y5V电容器的值范围如下表所示

包装DC = 25VDC = 50V

08050.01μF---3.9μF0.01μF---1μF

12060.01μF---10μF0.01μF---3.3μF

12100.1μF---15μF0.01μF----4.7μF

22250.68μF---22μF0.68μF---15μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃--- 85℃

温度特性22%----- 82%


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