[AD News]三星暴露于缺乏毫米波体验，5G基带研发遇到瓶颈

面对即将到来的5G时代，在确定了未来的5G标准后，许多制造商已经相继投资于基带芯片的研发，以与移动芯片领导者高通竞争.

当前的5g基带芯片可以分为两种类型:

一个支持6GHz以下的频段和毫米波. 这些供应商包括高通，英特尔，三星电子和华为的海思. 研究所Techno System Research认为，在这些制造商中，高通的5G芯片产品最具竞争力. 毫米波是带宽大，传输速度快的高频波，但波长短，信号容易受到干扰. 必须改善射频天线模块的性能，以获得更好的性能.

另一种5G基带芯片仅支持6GHz以下的频段，供应商包括联发科和紫光展讯. 由于6GHz以下频段已用于4G LTE，因此此类芯片的开发相对容易.

就在几天前，三星发布了新一代前向兼容的exynos 5G手机基带芯片. 据媒体报道，该芯片可以支持多种毫米波频率，例如28GHz，39GHz和6GHz，与2G，3G，4G LTE通信技术兼容. 当Exynos 5G基带高于28GHz时，它可以与八个100MHz载波聚合结合使用. 可以使用最大800MHz. 理论上的最大下载速度可以达到5Gbps，比当前最高规格的LTE基带快5倍. Exynos 5G还支持NSA和SA技术.

但是，它很快被当地媒体所打击. 根据韩国媒体“ ​​etnews”的报道，尽管三星是韩国唯一一家目前正在投资研发5G基带芯片的公司，但由于缺乏经验，三星目前正在此过程中. 背后. 除了三星，中国的华为海思也遇到了同样的问题，而且进度比三星落后了一年.

该报告指出，根据市场研究机构Techno System Research的报告，截至2019年底，全球将运送580万个5G设备，其中智能手机将占大部分. 至于2020年，在大多数国家和地区正式将5G商业化之后，产品出货量将一举达到9000万，进一步增加了市场机会. 因此，包括美国，中国，韩国甚至日本在内的技术公司都在竭尽全力跟上5G基带技术的发展.

此前，高通和英特尔都向外界发布了自己的5G基带芯片.

高通公司的5G基带芯片被命名为Snapdragon X50，而英特尔的5G基带芯片被命名为XMM8060. 在2019年，Snapdragon X50和XMM8060也将与智能手机集成，并进入商业化阶段.

由于三星也是努力开发5G基带技术的制造商之一，这一趋势也引起了人们的注意. “ Etnews”在报告中进一步指出，三星由于开发毫米波（RF）天线模块以匹配其5G基带芯片时缺乏在毫米波领域的经验而遇到了瓶颈. 但是，目前尚不清楚三星在这个发展中的市场正在做什么. 值得注意的是，作为新一代Galaxy S9旗舰智能产品的制造商，三星必须以自己的方式来巩固其在5G市场中的地位.

事实上，据报道，截至2017年底，三星正与运营商Verizon合作，以加快Verizon 5G商业转移的进程. 到2018年初，三星还宣布将向Verizon提供路由器和RF服务技术，以便Verizon可以在2018年底之前在加利福尼亚州启动5G服务. 在该项目中，三星负责构建固定的5G家用路由器. 由小型无线基站和虚拟化组件组成的5G无线接入产品.

几天前，三星曾在一份声明中指出，三星通过与Verizon的合作，已经通过在美国进行的市场试验探索了5G的巨大潜力. 同时，三星还从这些现实世界的实验中学到了经验三星onte10是5g手机吗三星onte10是5g手机吗，以确保三星完整的端到端5G产品组合能够在将来投入商业使用. 至于三星能否从这种真实的测试经验中获得开发5G基带相关产品的技术，则需要进一步的跟踪观察.

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