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小米华为的新手机发布有五个亮点值得关注

电脑杂谈  发布时间:2020-04-11 03:08:48  来源:网络整理

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中华航空新闻: 2月13日,小米发布了小米10系列手机,并宣布其进入高端手机市场. 巧合的是,2月24日,华为还在巴塞罗那举行了5G全屏新闻发布会,发布了Mate Xs折叠屏手机,MatePad Pro 5G平板电脑,WiFi 6+路由器/ CPE等一系列产品.

今年的5G手机需求将迎来井喷. StrategyAnalytics的最新研究报告还指出,尽管新的冠心病肺炎的影响和全球经济放缓限制了今年5G智能手机的销售,但5G细分市场也将在今年成为全球智能手机. 5G渗透率是手机行业增长最快的部分,将从2019年全球智能手机总出货量的1%增长到2020年的15%,达到1.99亿部. 以小米和华为为代表的手机制造商已经陆续推出了新手机. 在手机市场逐渐饱和和缺乏革命性创新的情况下,通过比较这两款新手机,我们可以看到智能手机创新表现出以下亮点: <

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屏幕向更高屏幕比例的创新

无论是小米的带孔屏幕还是华为的折叠屏,未来屏幕创新的方向将是更高的屏幕份额和更大的屏幕尺寸. 小米10采用了6.67英寸双曲线OLED孔屏设计,配备了级定制AMOLED原色屏,90Hz流量屏+ 180Hz高帧率采样,支持DCI-P3色域显示,莱茵低蓝光认证屏幕的前镜孔相对较小且精致,制造商在打开前镜时有更大的自由度. 华为Mate Xs延续了Mate X的屏幕折叠鹰翼折叠形状,完美融合了柔性屏幕和机翼式铰链结构. 新的铰链设计提高了机身的结构强度,并支持0〜180自由度折叠,屏幕中间没有内部折痕. 在折叠状态下,Mate Xs的正面大约是6.6英寸屏幕,背面大约是6.38英寸屏幕,展开的是8英寸平板电脑. “平板”就是其中之一,随着柔性OLED技术的飞速发展,折叠屏将在更大程度上满足消费者对大屏幕的需求.

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性能配置更好

上游集成电路发展迅速,智能手机将配备高端处理器,并且在成本条件下性能会越来越好. 小米Mi 10系列首批配备了Snapdragon 865旗舰处理器. CPU使用Kryo 585新的A77架构,1个超级内核+ 3个大内核+ 4个小内核,性能提高了25%. 整个系统配备了LPDDR5内存,该内存比LPDDR4x快. 50%时,传输速率可以达到44GB / s. 华为Mate Xs配备了最新的麒麟990 5G SoC,并使用7nm + EUV工艺. 它是业界最小的5G手机芯片解决方案,也是首个采用华为自主开发的架构NPU的旗舰芯片. CPU使用2个超大核+ 2个大核+ 4个小核的三级能效架构,与16核Mali-G76 GPU集群集成,是目前华为手机芯片中最大的GPU. 有了高性能处理器的支持,智能手机,尤其是旗舰手机的用户体验将越来越好.

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相机是高分辨率的小米手机亮点

四发后等距离穿透

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为了增强产品的吸引力和优化主要手机品牌的消费者体验,手机的光学创新仍是主要方向之一. 对高像素,后置四个,屏下和TOF的需求正在不断增加. Mi 10使用后置四和前置单配置. 整个系统的后部配备了一个108百万像素的主,支持1 / 1.33像素的外底,还配备了一个13像素的超广角和200万景深. 镜头和200万微距镜头,前置2000万像素,支持OIS​​光学防抖,支持8K视频录制和120帧慢动作拍摄. Mate Xs配备了超灵敏的Leica Quad相机系统,包括一个40百万像素的超灵敏相机(广角,f / 1.8光圈),一个16百万像素的超广角相机(f / 2.2光圈) ,以及8百万像素长焦相机(f / 2.4光圈,OIS)和ToF相机,支持AIS + OIS超级图像稳定功能和30倍混合变焦.

WiFi6加速普及

2018年,WiFi联盟宣布将下一代WiFi技术802.11AX重命名为WiFi6. WiFi6主要使用OFDMA,MU-MIMO等技术,其最大速率为9.6Gbps,最大调制度为1024QAM,比WiFi5效率更高,延迟更低,可以满足高清视频,VR小米手机亮点,AR和VR的需求. 其他应用场景. 小米10系列支持WiFi6无线网络标准. 同时,小米还在新闻发布会上发布了首款支持WiFi6的小米AIoT路由器AX3600. AX3600配备了高通4核A53 1GHz芯片,并具有6个高性能外部信号放大器. 而这次华为还发布了全球首款WiFi 6+智能路由器-华为路由器AX3系列,AX3系列配备了凌霄四核1.4GHz CPU,双频并发速度高达3000Mbps. 越来越多的公司和产品布局导致WiFi 6相关应用程序的加速普及.

GaN快速充电可能成为主流充电技术

在新闻发布会上,小米还发布了首款GaN充电器“小米GaN充电器Type-C 65W”. 小米GaN充电器支持高达65W的快速充电,使用小米10 Pro可以实现50W的快速充电. 从0到100%充电仅需45分钟. GaN是第三代半导体材料之一,具有超强的导热性,耐高温性,耐酸碱性等优点. 广泛用于航空航天,军事等领域. 与传统的充电器相比,由GaN材料制成的充电器具有高效率,高功率,发热量低,体积小等优点. 随着用户对便携性的需求增加,GaN快速充电可能会成为主流充电技术.


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