台湾联电更是台湾仅次于台积电的是第二大集成电路制造厂,2016年销售额44.5亿美元,对比下中芯国际2016年的销售收入只有29亿美元多点。
目前长江存储在同时进行NAND FLASH和DRAM的研发,根据2017年4月高启全接受记者采访时透露,“长江存储的研发团队里面,美国人、日本人、南韩人都有,绝不是只有挖台湾工程师,长江存储内部是规定要用英文沟通,因为外籍主管很多,以国际化的规格在打造企业。”
现在的武汉新芯约1,200人,另外,长江存储成立至今也招募将近700人,共计1900人左右。
长江存储目前研发人员总共约500人,其中台湾人约50名。
根据2017年9月的消息,长江存储将会在美国设立研发中心,并且趁着日本东芝在处于出售状态的机遇,挖角日本的存储器研发人才,日本很多年轻的工程师,受制于日本职场论资排辈文化的压制,薪资和发展通道上本有很多不满,加上东芝已经风雨飘摇自顾不暇,在中国高薪诱惑下,必然会有人加盟。
目前长江存储的重心放在3D NAND flash的开发上面,同时也在推进20/18nm的DRAM开发。
NAND Flash肯定是长江存储最先量产的产品,因为传统2D转3D NAND技术后,半导体机台设备几乎都要换新,所以这时候投入是对的,每一个存储器阵营都站在同一个出发点。
而DRAM技术,每转进新一代制程技术仅增加20%的半导体机台设备,意思是,既存的半导体大厂的多数机台设备都已经折旧光了,新加入DRAM技术的人去买新设备来生产,成本非常贵,竞争力会很差。从这个角度而言,中国要做好在存储器领域长期烧钱的准备。
长江存储现在研发进度如何?根据长江存储 CEO 杨士宁介绍,其 32 层 3D NAND 芯片顺利实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,2017年底将提供样片,继续向64 层 3D NAND 发展,乐观估计2019年量产。
目前韩国三星已经在2017年量产64层 NAND,可以看出中国和韩国的技术差距在2年,2年看似很短,其实在竞争激烈瞬息万变的市场,已经是极大的差距了。抗韩将是长期的进程。
但是,大家也不要觉得韩国半导体不可战胜,事实上,韩国人在半导体领域表现强势的也就是NAND FLASH和DARM存储器领域,以三星为首的韩国公司早在上个世纪九十年代就开始了存储器的研发,早了我们二十年,我们要想超过他们,当然必须付出时间的代价,这个时间不是三五年,能够十年追上就已经非常了不起。
另外,韩国虽然存储器强大,但在存储器以外的其他领域,除了三星手机自产处理器和基带芯片外。由于都不是大集团研发,韩国的芯片设计产业在中国的冲击下衰退非常严重。
以2017年上半年为例,根据韩国媒体Business Korea的报道,在韩国上市的韩国前15大IC设计公司中,有10家上半年营业利润出现下降,50%的企业出现亏损,营收和利润都增长的只有两家。
原因就是中国冲击,例如液晶面板上面的驱动芯片,例如手机和平板电脑上的触控芯片,以及等用的中低端图像传感器。
因此,全球目前只有中国的疯狂的投入存储器的研发和制造,韩国人在存储器领域未来被颠覆,只有可能是被中国,确切的说的是长江存储公司。
未来的希望:寒武纪
为什么要特别提一下寒武纪,人工智能是人类所有产业发展的大势所趋,在这个领域,专用芯片将会成为未来的主流。几乎所有的ICT科技公司,不管是国内的百度,阿里,腾讯,华为,还是美国的谷歌,facebook,亚马逊,微软,都在朝人工智能方向发展
2017年8月,由中国科学院计算技术研究所(中科院计算所)陈云霁、陈天石两兄弟创立的寒武纪科技(CambriconTechnologies)宣布完成阿里巴巴领投的1亿美元A轮融资,此轮融资令寒武纪估值达到10亿美元。这也是中国第一家集成电路产业的独角兽公司(估值超过10亿美元),这可以算作一个里程碑。
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