内存储器和外存储器 四大存储技术，改变电脑内存未来

随着电脑处理器、显卡性能的不断提升，现在内存已经成为了电脑整体性能最大的瓶颈。而近年来全球晶圆紧张，内存条市场价格的居高不下，严重的阻碍了我们升级电脑内存。这使得尽管近年来内存条市场需求日益剧增，但是内存条消费市场却出现了前所未有的萎缩。内存储器和外存储器

在这样的情况下提升DRAM产能，提升内存性能，降低内存成本，成为各大存储芯片厂商近年研究的主要课题。

扩大DRAM生产，需要的投入非常巨大。DRAM，Dynamic RAM，Dynamic动态，RAM随机存储器。DRAM的基础是随机存储技术。与其花费巨大的投入去扩大迟早要淘汰的DRAM的产能，还不如另起炉灶，研究新的RAM技术。只有研究新的RAM技术才能使得内存条在性能上获得巨大的提升，在成本上得到有效的降低。

无论是对于闪存来说，还是对于内存颗粒来说，2D的堆栈方式已经没有进步的空间了，3D的堆栈方式成为发展的必然。

DRAM以电荷多少来存储数据，需要不断的刷新，导致容量和能耗受到限制，工艺制程难以下降。

RRAM用忆阻器来做存储，金属氧化物的存储器的主要原理，首先就是在低阻态状态下，存储器可以使导电丝断掉，成为高阻态，而这个操作时间是比较长的，延迟较大，同样在这种状态下，再加上一定大小的电压，就使得导电丝从高阻态变成了低阻态。

RRAM的优势是容量很大、速度快、能耗低。1T容量的RRAM可能未来只要指甲盖那么大。RRAM的速度将是DRAM的20倍，能耗降低近20倍，使用寿命也将提升约10倍。RRAM将可能打破内存和硬盘的界限，使得它们合二为一。

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化。

MRAM的优势是，它拥有高速读取写入能力，以及高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM的速度是闪存的近1000倍。

据消息，三星、台积电都准备在2018年量产MRAM。MRAM技术目前已经成熟，随着光刻技术的不断提升，MRAM成本的下降，MRAM极其可能成为DRAM的最终替代者。

实际上英特尔、镁光合作研发的3D XPoint就是使用了PRAM技术（尽管英特尔拒不承认，因为涉及到知识产权）。而英特尔的奥腾速度仅仅是闪存的10倍左右，它号称模糊硬盘、内存界限也并未达到。不过据传，英特尔将在2018年下半年推出512G的内存条，让我们拭目以待。

总结：3D SUPER DRAM将可能使得内存颗粒的成本降低，产能增加，从而短时间内，让电脑内存条价格逐渐下滑，回归性价比。内存储器和外存储器而RRAM、MRAM、PRAM未来将可能大大提升电脑的内存性能，甚至将可能使得电脑硬盘和内存合二为一。但这三项技术还需要很长一段时间才能在消费级数码产品领域普及。

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