什么是Flash Memory 存储器
介绍关于闪速存储器有关知识 近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不 加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可 编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。 由于Flash Memory的独特优点,如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS,会使得BIOS 升级非常方便。 Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽 有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲 击、抗振动能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集 成度不断提高,价格降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准,可以十分方便地用于各种计算机中以 取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡,一种称为Flash存储器卡,此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体,在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动 卡,此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标 准兼容,可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大,价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性 高,重量轻,但容量不大的系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储 器中。
什么是Shadow RAM 内存
Shadow RAM也称为“影子”内存。它是为了提高系统效率而采用的一种专门技术。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(动态随机存取存储器)芯片。Shadow RAM 占据了系统主存的一部分地址空间。其编址范围为C0000~FFFFF,即为1MB主存中的 768KB~1024KB区域。这个区域通常也称为内存保留区,用户程序不能直接访问。 Shadow RAM的功能是用来存放各种ROM BIOS的内容。或者说Shadow RAM中的内容是ROM BIOS的拷贝。因此也把它称为ROM Shadow(即Shadow RAM的内容是ROM BIOS的“影 子”)。 在机器上电时,将自动地把系统BIOS、显示BIOS及其它适配器的BIOS装载到Shadow RAM 的指定区域中。由于Shadow RAM的物理编址与对应的ROM相同,所以当需要访问BIOS时, 只需访问Shadow RAM即可,而不必再访问ROM。 通常访问ROM的时间在200ns左右,而访问DRAM的时间小于100ns(最新的DRAM芯片访问时 间为60ns左右或者更小)。在系统运行的过程中,读取BIOS中的数据或调用BIOS中的程序 模块是相当频繁的。显然,采用了Shadow技术后,将大大提高系统的工作效率。 按下按键你可以看到该地址空间分配图,在如图所示的1MB主存地址空间中,640KB以下的 区域是常规内存。640KB~768KB区域保留为显示缓冲区。768KB~1024KB区域即为Shadow RAM区。在系统设置中,又把这个区域按16KB大小的尺寸分为块,由用户设定是否允许使 用。 C0000~C7FFF这两个16KB块(共32KB)通常用作显示卡的ROM BIOS的Shadow区。 C8000~EFFFF这10个16KB块可作为其它适配器的ROM BIOS的Shadow区。F0000~FFFFF 共64KB规定由系统ROM BIOS使用。 应该说明的是,只有当系统配置有640KB以上的内存时才有可能使用Shadow RAM。在系统 内存大于640KB时,用户可在CMOS设置中按照ROM Shadow分块提示,把超过640KB以上的 内存分别设置为“允许”(Enabled)即可。
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