世界第一！美光单芯片集成了12GB LPDDR5内存，256GB 96层闪存

美光宣布已成功试制世界上第一款芯片“ uMCP5”，该芯片集成并封装了LPDDR5 DRAM内存颗粒和96层堆叠3D NAND闪存颗粒，旨在追求高速内存的主流和旗舰产品和高性能存储. 当然，在高端4G手机中使用5G智能手机也不成问题.

当今的5G旗舰手机具有LPDDR5内存和UFS 3.0 / 3.1闪存作为标准配置，并且均为大容量. 但是，由于传统手机中的内存与SoC处理器集成在一起，因此闪存是一个独立的芯片. 它将占用大量空间. 此外，5G手机的内部组件急剧增加，结构非常复杂. 总体设计难度也大大增加.

Micron的uMCP5单片机集成了12GB容量，6400MHz频率，第二代10nm工艺制造的双通道LPDDR5存储器，256GB容量手机内存 闪存，96层堆叠，具有UFS接口的3D TLC闪存和板载控制器. 它是297针标准BGA封装.

Micron表示，与传统的内存和闪存双芯片组合相比，uMCP5可以节省40％的面积. 同时手机内存 闪存，内存和存储带宽比上一代解决方案高出50％.

美光表示，uMCP5芯片已向特定客户提供样品，但未透露具体身份.

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