
图5 清华-富士康纳米科技研究中心石墨烯海外专利技术主题趋势
清华-富士康纳米科技研究中心石墨烯海外专利技术主要分布在石墨烯用于制造致热发生装置的碳膜、指尖套输入端的石墨烯层、石墨烯复合材料、石墨烯片用于碳纤维膜、锂离子电池电极材料、石墨烯用于电子发射源的电子收集层、石墨烯层用于制造发光二极管等方向。
清华-富士康纳米科技研究中心是中国申请人在碳纳米材料领域特别是石墨烯海外专利数量最多的机构,开始申请时间最早,并且有持续申请趋势。该技术领域的海外专利多为碳纳米管与石墨烯的相关技术同时申请,具体专利主要体现为石墨烯-碳纳米管复合膜结构及其制备方法(可参考专利US20120298289A1)。该技术领域是清华-富士康纳米科技研究中心的优势技术领域,也是其持续的技术增长点。
石墨烯用于电子发射源的相关海外专利多为电子发射装置和电子发射显示器技术主题。具体体现为石墨烯用于电子发射源的半导体层与绝缘层之间的电子收集层。该领域相关海外专利申请集中在2012年和2015年,且近年有持续申请趋势。
发光二极管技术领域申请的石墨烯专利主要是发光二极管的有源层包括一石墨烯层,从而形成微结构,以改变活性层中大角度光的运动方向,提高发光二极管的光取出率。该领域的石墨烯海外专利申请集中在2012年和2014年。
石墨烯在热致发声装置中的应用体现在声波发生器的碳膜制造中,碳膜由多个碳纳米管层和多个石墨烯层叠加而成。该领域的石墨烯海外专利申请集中在2011年。
指尖套技术领域海外专利主要是石墨烯用于指尖套输入端的制作,其申请集中在2011年,近几年有继续进行海外布局的趋势。
对清华-富士康纳米科技研究中心的重要发明人技术构成进行统计:

图6 清华-富士康纳米科技研究中心的重要发明人技术构成
范守善院士作为清华-富士康纳米科技研究中心的学术带头人,在以上分析的石墨烯海外专利的IPC小类TOP10的技术类别中均有涉及。尤其是在B82Y(纳米结构的特定用途或应用)、H01L(半导体器件)、C01B(非金属元素;其化合物)、H01J(放电管或放电灯)四个领域海外专利申请的数量较多,在其他的各类技术领域也有持续的申请趋势。同时,从申请量来看,姜开利、林晓阳、柳鹏、魏洋、周段亮等人也是该研究中心的研发骨干力量。
清华-富士康纳米科技研究中心作为我国石墨烯海外专利最早的申请人之一,也是目前我国石墨烯海外专利申请数量最多的申请人。对其海外专利的价值度趋势进行统计:

图7 清华-富士康纳米科技研究中心石墨烯海外专利价值度趋势
合享价值度是incopat检索平台自主研发的全面评价专利价值的指标体系。该指标综合了专利类型、被引证次数、同族个数和同族国家数量等多个客观参数,数值越大,技术稳定性越高,保护越充分。清华-富士康纳米科技研究中心石墨烯海外专利价值度集中分布在8到10之间。其中价值度为10的专利主要在2009年到2011年申请,2011年高价值专利申请数量最多,高达36件。
价值度为10的专利主要分布在石墨烯薄膜与碳纳米管薄膜结合形成的复合结构(如专利US8920661B2)、石墨烯膜用于制造热致发声元件(可见专利US8758635B2)、输入指套的输入端的碳结构包含石墨烯(可参考US9575598B2)、石墨烯片与碳纳米管薄膜结合用于透射电子显微镜以减少高传输电子显微镜成像中的背景噪声(如专利US20110017921A1)。
在价值度为10的专利中,同族数量最多的专利为石墨烯用于半导体器件的外延生长(具体技术内容可见专利US9024310B2)。该专利技术的同族数量达到26个。
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