电子元器件的基础知识_电子元器件基础知识_电子元器件的代码(9)

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率PM---额定功率。

硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数λp---发光峰值波长 △λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压 VF（）---正向平均电压 Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管） VL---极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容 Cob---共基极输出电容。

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