SSD的性能取决于主控制,同时,它受闪存的限制。闪存(FlashMemory)是非易失性存储器,因为断电后仍可以保存数据。与主控制的核心重要性相比,在制造过程没有太大差异的情况下,闪存对性能的影响有限。
同时,闪存对SSD的使用寿命具有决定性的影响。从SSD的使用寿命和价格,我们可以了解三种闪存类型:1、寿命最长,价格最昂贵的SLC; 2、具有中等寿命和价格的MLC; 3、最短寿命和最低价格的TLC闪存。
■SLC闪存功能:

Hynix 8GBSLC闪存

SLC是SingleLevelCell的缩写,称为单级单存储单元。就访问原理而言,SLC体系结构具有两个计费值:0和1,即每个单元可以存储1位数据(1bit / Cell),这与交换电路有点相似,即使其中一个是电池损坏,不会影响整体性能。 ,因此性能非常稳定,并且SLC的最大驱动电压可能会很低。
1、理论上最快的速度; 2、 P / E使用寿命长; 3、单片机的存储密度小
当前,SLC闪存主要用于企业级产品,混合硬盘缓存,高端和高质量USB闪存驱动器/数字播放介质等。 SLC固态驱动器的容量不如MLC固态驱动器,并且速度优势受到人为限制。 P / E的突出优点是使用寿命长。
■MLC闪存的功能:


英特尔20nmMLC闪存
MLC是Multi-LevelCell的缩写,称为多级存储。 MLC在存储单元中实现多位存储容量,通常为2位。它使用不同的电压电平来记录两组位信息(一个单元中的0 0、 0 1、 1 1、 1 0),这使SLC的存储密度理论倍增。由于电压变化更加频繁,因此,其MLC闪存的使用寿命远不及SLC,其读写速度也不如SLC;由于浮栅存储2个单元,因此MLC的时间比SLC长。
1、的理论读写速度不如SLC; 2、价格仅为SLC的1/3甚至更低; 3、使用寿命处于中间,即3000-5000P / E寿命。
MCL闪存广泛用于消费级SSD和轻型应用的企业级SSD。与SLC相比,这些区域中的SSD具有较低的数据吞吐量,并且要求的P / E服务寿命短。因此,MLC闪存没有严格的速度限制,其性能超过了SLC闪存。
■TLC闪存的特征:


东芝A19nmTLC闪存
TLC是Triple-LevelCell的缩写。它是2位/单元MLC闪存的扩展。 TLC达到3bit / cell。 TLC使用不同电位的电荷。浮栅存储3位信息。理论上将存储密度与MLC进行了比较。闪存已扩展0. 5倍。
1、在理论上具有最高的存储密度; 2、具有最低的制造成本,其价格比MLC闪存低20-50%; 3、 P / E寿命可以达到1000-2000倍以上; 5、理论上,读写速度是最慢的。随着制造技术的进步,主控制算法得到了很大的改进。
TLC闪存与过去的MLC闪存一样,克服了P / E使用寿命的难题,并于今年下半年进入主流阶段。目前,主流主流主控制造商已经开发出支持TLC闪存的主控,并已经发展到第三代,有效地提高了TLCSSD的性能,延长了TLCSSD的P / E使用寿命。
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