SLC/MLC闪存/TLC闪存架构对比/E寿命

SSD的性能取决于主控制，同时受闪存限制。闪存（FlashMemory）是非易失性存储器，因为断电后仍可以保存数据。与主控制的核心重要性相比，当制造过程差别不大时，闪存对性能的影响有限。同时，闪存对SSD的使用寿命具有决定性的影响。

■TLC闪存的特征：

Hynix 16nmTLC闪存

TLC是Triple-LevelCell的缩写。它是2位/单元MLC闪存的扩展。 TLC达到3bit / cell。 TLC使用不同电位的电荷。浮栅存储3位信息。理论上将存储密度与MLC进行了比较。闪存已扩展0. 5倍。

SLC / MLC / TLC闪存架构比较

1、理论存储密度最高； 2、制造成本最低，价格比MLC闪存低20-50％； 3、市盈率寿命可以达到1000-2000倍以上； 5、读写速度（与SLC / MLC闪存相比）很慢。随着制造工艺的改进，主控制算法得到了很大的改进。

与MLC闪存相比，TLC闪存的性能和P / E使用寿命不如前者。 SSD制造商通过增加缓存以提高性能并改进主控制/算法来解决这些问题。

TLC架构可以生产更大容量的闪存

尽管P / E寿命没有改变，但可以通过添加ECC验证，优化主控制读写来提高可靠性，对于NAND闪存，容量就是寿命，而容量越大，更高的数据写入寿命。这就是为什么我们使用240-250GBTLCSSD进行测试的原因之一（它将在下一阶段进行测试，并且测试过程将需要1-2个月）。总之，毫无疑问，TLC具有更大的优势。

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