ir2110全桥逆变电路图_ir2110s中文资料_ir2110

使用IR2110的目的是为了控制功率电路，IR2110作为高压集成驱动芯片，集成了高压侧和低压侧两路驱动的输出，为驱动半桥和全桥电路提供了便捷。ir2110

为利用好这款芯片，需要理解其工作原理。电路需要设计自举电容，自举二极管，以及MOS管的配置电路。

以驱动半桥为例来详述其工作原理：

图1 自举电容充电过程

当LO输出高电平，VCC将电源电压加在Q2两端，下管导通，电源VCC通过自举二极管，自举电容，下管Q2构成充电回路，给自举电容C1充电。由于驱动波形是互补输出，此时HO输出低电平，上管处于截止状态，此时由于Q2导通，故Va是处于低电平状态，此时半桥输出低电平。VCC经过自举二极管的压降，将电压加在自举电容C1的两端。

LO输出高电平，

第一，将电源电压加在下管Q2的栅源两端，开通下管Q2；

第二，电源电压给自举电容充电；

第三，半桥中点输出低电平

自举电容的计算公式如下：

图2 自举电容放电过程

针对实际电路所用的MOS管，在计算出所需的自举电容值后，当电容两端电压达到电源电压，关断Q2。HO输出高电平，自举电容两端电压加在上管Q1的栅源两端，开通Q1（若是软开关，会经历一段死区时间），此时自举电容两端电压会经过VB，HO，上管Q1，构成放电回路。由于Q1处于导通状态，母线电压与Va点电压相同，即此时半桥输出高电平。

HO输出高电平，

第一，将自

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