快速熔断器型号_快速熔断器熔断时间_快速熔断器(2)

UNF>（三相桥式电路）

或UNF>（双反星形电路）

图1中整流变压器阀侧电压1050V，可选用1200V电压等级的快速熔断器。

2.2 熔断器的额定电流INF

INF的选用应以整流电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度（系数ka），冷却条件（系数kT），电流裕度（系数kI）等因素影响进行计算，而不是按与熔断器串联的半导体器件的通态电流平均值转化成有效值来计算。当流过熔断器的电流是脉冲波形时，应计算相应的有效值，而不是取其最大值。

INF≥IF·ka·kT·kI≥k·IF

式中：k值一般可取1.5～2。对自冷式熔断器，k取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路结构，需取最大值；对水冷式熔断器k取较小值。快速熔断器选用的额定电流过大，势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。

图1中每个整流桥臂有4个整流管并联工作，当均流系数按0?9考虑时，则流过熔断器中的最大电流的有效值为

IFmax=·Id/2(0.9×3×4)=2970A

由于大电流快速熔断器采用水冷式结构，因此它的额定电流可选用INF=1.5IFmax≈4500A。当桥臂中一个整流管损坏后，流过熔断器的电流增加到3960A，仍可保证整流器额定电流的输出。

2.3 I2t值的核算

当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系可按下式计算

I2tF≤0.9I2tD

整流管的I2tD值随电流的倍数平方值增加，见表1。快速熔断器的I2tF值则增加更快，见表2。从表1、表2中可以看出，200A整流管可配315A熔断器作保护，而2000A整流管只能配用2200A以下熔断器作保护了。

表1 ZP型整流管的I2tD值（平均值） 通态电流/A 200 400 600 800 1000 1600 2000 I2t/A2s 0.6×105 2.2×105 4.75×105 8.5×105 13.9×105 35.5×105 56.7×105

表2 法国FERRAZ公司PSC系列（660V）快速熔断器的最大熔断I2tF值

额定电流有效值/A 315 630 900 1250 1600 2200 2800 最大熔断的I2t值/A2s 0.4×105 2.8×105 9×105 11×105 19×105 50×105 100×105

大功率整流器的桥臂中通常设计为2～6个整流管并联运行，如图1所示。当A相某整流管反向击穿形成变压器阀侧短路时，流过两个健全臂（B、C相）的电流幅值并不相等，B、C相电流幅值为A相短路电流幅值的50％～80％[2]。图2为1500V、2000A整流器中快速熔断器保护试验波形，它是在人工短接A相桥臂整流管（相当于整流管反向击穿而形成桥臂短路）时拍摄的变压器阀侧短路的相关波形图。从图2中看出，人工短接整流管支路的快速熔断器经9.9ms后分断（由于短路电流值较小，因此分断速度较慢），B、C相熔断器与整流管完好，流过B、C相桥臂的短路电流幅值分别为12.3kA与11.0kA，为A相桥臂短路电流幅值的60％与54％。短路电流的幅值大小与产生短路的时刻（合闸角）及短路电路中的感抗X与电阻R值等因素有关。从这个观点考虑，在多个整流管并联的桥臂中，快速熔断器的I2tF值允许大于串联连接的整流管的I2tD值，但不宜相差太多。众所周知，熔断器的熔断能量I2tF是熔化能量I2t1与燃弧能量I2t2之和，即I2tF=I2t1＋I2t2，I2t1值约为（15～25）％I2tF。因此，在选用快速熔断器时，要防止流过健全臂中熔断器的I2t1值过大，否则会引起健全臂中熔断器热疲劳损坏及整流管的过载损坏。

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