终极：重温TLC闪存的寿命：1000个擦除和写入周期。

三星840系列固态硬盘进入了一个新时代。 TLC NAND闪存最早用于消费类产品。我们已经对这种闪存的原理和架构技术以及三星840的性能和可靠性进行了更深入的介绍。今天，让我们看一下TLC闪存本身的使用寿命。

不幸的是，没有制造商公开谈论过TLC闪存的可靠性。您只能猜测编程/擦除周期（P / E）的数量约为1000-1500（20 / 25nm MLC约为3000倍）。而且，三星没有像英特尔那样告诉您特定的闪存写入量，并且由于写入放大，所以无法知道要写入多少数据。

但是，仍然有一种解决方法：写入队列深度为1的不可压缩的128KB连续数据，并计算每个测试的损耗平均计数（WLC，类似于Intel MWC介质丢失指示器）。如果您知道平均写入速度和持续时间，则可以粗略计算出要写入多少数据。另一方面，大数据连续写入而不会产生碎片，因此写入放大倍数非常接近1倍。

使用Samsung 840 250GB进行测试，结果如下：

－写入的数据总量：92623GB

－WLC消耗：34

－预期市盈率：1064次

-估计可写总量：272420GB

换句话说，TLC NAND闪存仅具有约1,000个编程/擦除周期，而250GB的生命周期数据写入量约为270TB。

当然，在WLC达到零后，三星840仍然有机会继续使用，最多可再使用20-30％，但前提是它类似于英特尔MWI。

1000次编程/擦除周期的确少得可怜，但对于普通用户而言并不那么可怕。平均每日写入量很少超过10GB，因此我们假定它为10GB，并且假定写入放大系数为3。然后对于128GB，256GB MLC固态驱动器，总寿命约为35.0年，70.1年，相同容量的TLC硬盘为11.7年，23.4年。

即使每天30GB，一个256GB TLC硬盘也可以支持7.8年，这是否足够？

此外，所有SMART属性都趋于保守，因此，即使WMI和WLC达到零，硬盘驱动器也不会立即死亡。例如，在著名的播放器论坛XtremeSystem中有一个Samsung 830 256GB，写成Enter接近6000TB，WLC早在828TB时变为零，实际寿命达到了理论值的七倍以上！

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