重温TLC闪存的寿命: 1000个擦除和写入周期.

三星840系列固态硬盘进入了一个新时代. TLC NAND闪存最早用于消费类产品. 我们已经对这种闪存的原理和架构技术以及三星840的性能和可靠性进行了更深入的介绍. 今天，让我们看一下TLC闪存本身的使用寿命.

不幸的是，没有制造商公开讨论过TLC闪存的可靠性. 只能猜测编程/擦除周期（P / E）的数量约为1000-1500（20 / 25nm MLC约为3000倍）. 而且，三星没有像英特尔那样告诉您特定的闪存写入量，并且由于写入放大，所以无法知道要写入多少数据.

但是，仍然有一种解决方法: 写入队列深度为1的不可压缩的128KB连续数据，并计算每个测试的损耗平均计数（WLC，类似于Intel MWC介质丢失指示器）. 如果您知道平均写入速度和持续时间，则可以粗略计算出要写入多少数据. 另一方面，大数据连续写入而不会产生碎片，因此写入放大倍数非常接近1倍.

使用Samsung 840 250GB进行测试，结果如下:

－写入的数据总量: 92623GB

－WLC消耗: 34

－预期市盈率: 1064次

-估计可写总量: 272420GB

换句话说，TLC NAND闪存仅具有约1,000个编程/擦除周期，而250GB的生命周期数据写入量约为270TB.

当然，在WLC达到零后，三星840仍然有机会继续使用，最多可再使用20-30％，但前提是与英特尔MWI类似.

1000次编程/擦除周期的确少得可怜，但对于普通用户而言并不那么可怕. 平均每日写入量很少会超过10GB，因此我们假定它为10GB，并且假定写入放大系数为3. 然后对于128GB，256GB MLC固态驱动器，总寿命约为35.0年和70.1年，TLC具有相同容量的硬盘分别为11.7年和23.4年.

即使每天30GB，256GB TLC硬盘也可以支持7.8年，够吗？

此外，所有SMART属性都趋于保守，因此，即使WMI和WLC达到零，硬盘驱动器也不会立即死亡. 例如，在著名的播放器论坛XtremeSystem中有一个Samsung 830 256GB，写成Enter接近6000TB，WLC早在828TB时变为零，实际寿命达到了理论值的七倍以上！ >

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/dianqi/article-299168-1.html