快速熔断器_快速熔断器工作原理_快速熔断器参数(4)

典型的试验波形图与分析见图6－10。其中图6为低倍数电流5kA4In的分断波形图。分断后漏电、重燃。示波图分析：绝缘电阻不能快速生成，重燃，不能分断。图7为高倍数电流100kA25In分断波形图。未分断、重燃。示波图分析：分断后绝缘电阻不能继续增长而重燃，不能分断。图8为高倍数电流70kA100In分断波形图。分断没有限流。示波图分析：100In应在10ms内分断，燃弧后电流下降，2ms后电流重新上升至180°电相角时过零点没有熄弧，继续燃弧10ms分断。这是一例极为勉强的分断示波图，有可能造成多个半导体器件损坏，绝缘电阻0.5MΩ。图9为高倍数电流70kA100In分断波形图，分断。示波图分析：良好的弧前示波图，在59kA时开始燃弧，由两段曲线组成燃弧过程，电流下降斜率不同，表示分断已有些困难。绝缘电阻1MΩ。图10为高

倍数电流108kA54In分断波形图。分断。示波图分析：直线的示波图呈三角状，由弧前转变为燃弧时刻有明显的拐点，表示有较高的分断能力。绝缘电阻30MΩ。

4结论

本文介绍了快熔的结构和发展，分析了快熔的主要特性，得出选用快熔的基本原则是：

（1）确定电流通过能力；

（2）I2t值应小于被保护的半导体器件的I2t值；

（3）尽量低的暂态恢复电压；

（4）大于电路最大故障电流的分断能力；

（5）分断后的绝缘电阻>0.5～30MΩ；

（6）不使用有隐形故障的产品。

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/dianqi/article-24675-4.html