快速稳定的双向晶闸管触发电路的制造方法

专利名称: 快速稳定的双向晶闸管触发电路的制造方法

技术领域:

本实用新型适用于所有需要精确导通的双向晶闸管电路，适应当前数控技术的高速发展，为高精度功率控制提供了新途径. 本实用新型提供了快速的触发速度（触发延迟在10uS以内）和较大的触发电流（大于2A），可以可靠地触发双向晶闸管模块.

第二种背景技术:

1. 最常用的晶闸管触发电路是由双向二极管实现的（见图1）. 晶闸管的导通角取决于电阻器对电容器的充电和放电时间. 该触发电路无法准确触发SCR，因此不适用于数字控制系统.

2. 还有一个电路通过脉冲变压器触发双向晶闸管（见图2）. 该电路脉冲变压器的初级驱动电路较为复杂，脉冲变压器体积较大，需要单独的电源和驱动脉冲波形处理.

三个

发明内容

本实用新型提供了一种快速稳定的双向晶闸管触发电路. 这样实现了一种快速稳定的双向晶闸管触发电路，包括电阻，电容，二极管和晶闸管组成的电路，其特征在于交流侧由整流全桥D1组成. 波脉冲产生电路与由D2，C3，R4，R6，R7和U1组成的MOS开关管隔离驱动电路连接. 15V齐纳二极管D2和电容器C3在上两个低压光电耦合器的次级侧彼此串联连接. 脉冲产生电路的点A处的电压通过d4，Q2，d2和C2加到晶闸管的触发电极双向可控硅作交流开关，从而触发MOS开关Q2. 电阻器R7连接在驱动电极和MOS开关的栅极之间. 脉冲输出电路由并联的C2和R3组成.

本实用新型的优点是，通过光耦隔离，驱动能力超过5MA的TTL电平可以可靠地触发三端双向可控硅开关元件和三端双向可控硅开关模块，触发延迟在10uS以内，不会控制电路. 产生干扰. 本实用新型采用市场上通用的元件，电路易于实现，工作稳定可靠，解决了数字控制系统在应用中双向晶闸管和双向晶闸管模块的触发问题.

四个

图1是使用双向二极管的晶闸管触发电路的. 图2是使用隔离变压器的晶闸管触发电路的；

图3是本发明的触发电路的.

五种具体的实现方法

将根据附图详细描述本实用新型.

1. 由整流全桥D1和MOS开关管Q2组成的AC方波脉冲发生电路通过整流器Full将由MOS开关管产生的DC方波脉冲转换成与正弦波方向相同的AC方波脉冲. 桥. 当A点处的波形为正弦波的上半部分时，A点处的电压通过d1，Q2，d3和C2施加到晶闸管的触发极，从而触发晶闸管. 当A点的波形是正弦波的后半部分时，A点的电压通过d4，Q2，d2和C2施加到晶闸管的触发极，从而触发晶闸管.

2. MOS开关管隔离驱动电路，由D2，C3，R4，R6，R7，U1组成. 该电路的关键是确保低压光耦合器的安全可靠运行. 通常，低压光耦合器的次级侧耐压约为30V，MOS开关管的可靠驱动电压为12V，因此该电路使用15V齐纳二极管D2来限制光耦合器次级侧的最大电压. 此外，MOS开关的导通需要稳定的电压，因此C3用于存储稳定的电压. 当光耦合器的次级侧不导通时，交流电压由D1整流，然后通过R4对C3充电. 当光耦合器的次级侧导通时，存储在C3中的电压通过R6和光耦合器的次级侧添加到MOS开关. 在驱动极上，使MOS开关打开. 由于在驱动极和MOS开关的栅极之间存在一个极电容，因此该电路通过R7释放该极电容，以确保在光耦合器的次级侧关闭后双向可控硅作交流开关，MOS开关会及时关闭.

3. 脉冲输出电路由C2和R3组成. 根据电容器的特性，可以使用较高频率的脉冲将方波脉冲转换为尖锐脉冲，以防止晶闸管误触发. 除了使C2放电外，R3的作用还为电容器C3提供了充电电路.

本实用新型还可以与数控电路和双向晶闸管模块结合组成实用电路，如精密数控焊接电源.

1，一种快速稳定的双向晶闸管触发电路，包括由电阻，电容器，二极管和晶闸管组成的电路，其特征在于，由整流全桥D1和MOS开关构成的AC方波Q2脉冲发生电路连接到由D2，C3，R4，R6，R7，U1、15V组成的MOS开关管隔离驱动电路，齐纳二极管D2和电容器C3串联并联两个低压光电耦合器，脉冲发生电路A点的电压通过d4，Q2，d2和C2加到晶闸管的触发器上，从而触发MOS开关Q2.

2. 2.根据权利要求1所述的快速稳定的双向可控硅触发电路，其特征在于，所述驱动电极与所述MOS开关的栅极之间连接有电阻R7.

3. 3.根据权利要求1或2所述的快速稳定的双向晶闸管触发电路，其特征在于，所述脉冲输出电路由彼此并联连接的C2和R3组成.

专利摘要本实用新型是一种快速稳定的双向晶闸管触发电路，包括由电阻，电容，二极管和晶闸管组成的电路，其特征是交流电由整流全桥D1和MOS开关Q2方波脉冲发生电路与由D2，C3，R4，R6，R7，U1、15V组成的MOS开关管隔离驱动电路相连，齐纳二极管D2和电容器C3并联在上部两个低压光电耦合器的次级侧上，脉冲产生电路的点A处的电压通过d4，Q2，d2和C2加到晶闸管的触发器，从而触发MOS开关Q2. 本实用新型的优点是，通过光耦隔离，驱动能力超过5MA TTL电平可以可靠地触发三端双向可控硅开关元件和三端双向可控硅开关模块，触发延迟在10uS以内，不会干扰控制电路. 本实用新型采用市场上通用的元件，电路易于实现，工作稳定可靠，解决了数字控制系统在应用中双向可控硅和双向可控硅模块的触发问题.

文档编号H02M1 / 08GK2747777SQ20042011035

出版日期2005年12月21日申请日期2004年11月26日优先权日期2004年11月26日

发明人郭灿，黄永庆申请人: 上海西瑞电子设备

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