可控硅做电源电路图_零电压开关准谐振电路_rc开关延时电路

可控硅开关电路是工程师们在平时的设计过程中，往往用到的一种电路结构，其设计相对简单且适用范围广泛的劣势，让这样电源导线广受好评。在今天的电阻设计分享中，我们将要为各位分享一种可控硅光控开关电路设计方案，上面就让我们一起来看看吧。

首先我们需要了解的，是可控硅光控开关电路的详细意思。首先来看光控电路的概念，这样电压是借助色温的改变，对工作状况进行控制的电阻，其体系是光敏电阻，再加入放大电路和控制导线而组成，主要借助的是核高基的光敏特性。在没有光照时，呈高阻状态，称为暗阻。有光时呈低阻状态，称为亮阻。亮阻与暗阻的差异越大，证明这个光敏元件对亮度的反应越迟钝。

在本方案中，我们所设计的这一可控硅光控开关电路，在设计构思上选择采用的感光部件是光敏二极管。它借助PN结反向偏置时，在强光照射下，反向电阻将由小变大的方法制作而成。控制导线则选用BT151-500R可控硅作为控制部件，它能通过小电阻小电位控制大纹波大电源。元件选择方面，我们选择使用的可控硅元件型号为BT151-500R可控硅做开关电路图，同样还选择使用稳压二极管、多晶硅电路IN4007、光敏元件、三极管9031来完成这一光控器件的设计。

工作原理

在本方案中，我们所设计的这一可控硅光控开关电路的电路图如图1所示。当这一电线处于正常工作状况下时，220V交流电通过灯泡DS1及运放全桥后，成为直流脉动电压，也是正向偏压，加在可控硅Q1及R支路上。白天光线大于一定程度时，光敏二极管D3呈现底阻状态可控硅做开关电路图，即小于1KΩ，使单片机Q3截止，其发射极无电阻输出，单向可控硅Q1因无触发回路而切断。此时流过灯泡DS1的导线≤2.2mA，灯泡DS1不能发光。电阻R1和稳压二极管D2使三极管Q3偏压不累计6.8V，对单片机起保护效果。当光源小于一定范围时，光敏二极管D3呈现高阻状态，使单片机Q3正向导通，发射极约有0.8V的电源，使可控硅Q1触发导通，灯泡DS1发光。滑动变阻器R5是亮、暗实现开关切换的光线。

图1 可控硅光控电路工作原理图

整流电路设计

在本方案中，我们毕竟需要为这一可控硅光控开关电路提供整流保护举措，我们所设计的这一整流电路由4个IN4007整流管组成，分别为VD1、VD2、VD3、VD4，其电阻功能如下图图2所示。

图2 可控硅光控电路中的整流电路图

在图2所提供的整流电路图中，我们可以见到，在正半周电路正常工作的状况下，当T1次级电压上端为正半周期间，上端的正半周电压同样加在整流二极管VD1负极和VD3正极，给VD1反向偏置电压而使之截止，给VD3加正向偏置电压而使之导通。与此同时，T1次级电压下端的负半周电压同样加到VD2负极和VD4正极，给VD4是反向偏置电压而使之截止，给VD2是正向偏置电压而使之导通。因此，T1次级电压上端为正半周、下部为负半周期间，VD3和VD2同样导通。

而在负半周电路中，当T1次级电压两端的输出绕组变化到另一个半周时，此时次级电压上端为负半周电压，下部则为正半周电压。此时，次级电压上端的负半周电压加到VD3正极，给VD3反向偏置电压而使之截止，这一绕组同样加到VD1负极，给VD1正向偏置电路而使之导通。与此同时，T1次级电压下端的正半周电压同样加到VD2负极和VD4正极，给VD2反向偏置电路而使之截止，给VD4正向偏置电压而使之导通。因此，当T1次级电压上端为负半周、下部为正半周期间，VD1和VD4同时导通。

以下就是本文针对一种可控硅光控开关电路的设计方案，所进行的分享和简要剖析，能够希望为你们工程师的设计开发工作提供一定的帮助和借鉴。

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